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Autor(en)
Taillon, Joshua A.
Artikel
Systematic structural and chemical characterization of the transition layer at the interface of NO-annealed 4H-SiC/SiO2 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Titel
Journal of Applied Physics
Verlag
American Institute of Physics
Ort
Melville, NY :
Erscheinungsjahr
1937
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