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Autor(en)
He, Gang
Artikel
Modulating the Interface Quality and Electrical Properties of HfTiO/InGaAs Gate Stack by Atomic-Layer-Deposition-Derived Al2O3 Passivation Layer
Titel
ACS applied materials & interfaces.
Verlag
American Chemical Society,
Ort
Washington, DC :
Erscheinungsjahr
[2009]-
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