Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Link-Resolver
Autor(en)
Nakajima, Akira
Artikel
GaN-based complementary metal-oxide-semiconductor inverter with normally off Pch and Nch MOSFETs fabricated using polarisation-induced holes and electron channels
Titel
IET power electronics.
Verlag
Institution of Engineering and Technology
Ort
[Stevenage, UK] :
Erscheinungsjahr
2008
Es wurden folgende elektronische Volltexte gefunden