Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Link-Resolver
Autor(en)
Minghui, Zhang
Artikel
Performance of normally off hydrogen-terminated diamond field-effect transistor with Al2O3/CeB6 gate materials
Titel
Journal of Applied Physics
Verlag
American Institute of Physics
Ort
Melville, NY :
Erscheinungsjahr
1937
Es wurden folgende elektronische Volltexte gefunden