- Artikel
- Carrier concentration and in-plane mobility in both non-intentionally and Si-doped InAsSb and InAs/InAsSb type-II superlattice materials for space-based infrared detectors
- Titel
- Opto-electronics review.
- Verlag
- SIGMA NOT Ltd
- Ort
- Warszawa :
- Erscheinungsjahr
- 1992
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