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Proceedings of the 2nd International Conference on Grain Growth in Polycrystalline Materials : held in Kitakyushu, Japan, 17 - 20 May, 1995
Materials science forum : 204,206 (Alle Bände), Grain growth in polycrystalline materials : 2 (Alle Bände)
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Polycrystalline semiconductors. 2. Schwäbisch Hall, Fed. Rep. of Germany, July 30 - August 3, 1990
Polycrystalline semiconductors (Alle Bände), Springer proceedings in physics : 54 (Alle Bände)
1991
Signatur: UAL900429
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Proceedings of the 1st International Conference on Grain Growth in Polycrystalline Materials : held in Rome, Italy, 18 - 21 June, 1991
Materials science forum : 94,96 (Alle Bände), Grain growth in polycrystalline materials : 1 (Alle Bände)
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Polycrystalline semiconductors
1989-
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Polycrystalline semiconductors : physical properties and applications ; proceedings of the International School of Materials Science and Technology at the Ettore Majorana Centre, Erice, Italy, July 1 - 15, 1984
Springer series in solid state sciences : 57 (Alle Bände)
1985
Signatur: UIM1288-57
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Das Cosserat-Kontinuum als Strukturmodell für plastische Korndrehungen
1989
Signatur: D339
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Ein Beitrag zur Ermittlung der Verschleißmechanismen beim Zerspanen mit hochharten polykristallinen Schneidstoffen
1989
Signatur: D2968
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Interfaces in crystalline materials
Monographs on the physics & chemistry of materials : 51 (Alle Bände)
1995
Signatur: UIR2580
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Eigenschaften und Technologien von laserrekristallisierten Siliziumdünnschichtbauelementen
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9 : 69 (Alle Bände)
Als Ms. gedr, 1987
Signatur: XVW2188-69
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Modellierung von Dünnschichttransistoren mit polykristallinen Halbleitern
1995
Signatur: D10216
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Strukturelle und elektrische Eigenschaften polykristalliner Siliziumdünnfilme
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9 : 62 (Alle Bände)
Als Ms. gedr, 1986
Signatur: XVW2188-62
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Berührungslose Meßverfahren zur Bestimmung von Silizium-Materialeigenschaften für Solarzellenanwendungen
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 21 : 90 (Alle Bände)
Als Ms. gedr, 1991
Signatur: XVW9300-90
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Plastische Anisotropie polykristalliner Materialien als Folge der Texturentwicklung
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 18, Mechanik/Bruchmechanik : 137 (Alle Bände)
Als Ms. gedr, 1993
Signatur: WAI1680-137
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Polykristalline Halbleiter und Niedertemperatur-Dielektrika zur Herstellung von Dünnschichttransistoren für flache Flüssigkristall-Bildschirme
1994
Signatur: D10440
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Autor / AutorinKnobloch, Joachim
SystemstelleXZM
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