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21th International Conference on the Physics of Semiconductors : Beijing, China August 10 - 14, 1992. 1

21th International Conference on the Physics of Semiconductors (Alle Bände)

1992

Signatur: UAL920144-1

21th International Conference on the Physics of Semiconductors : Beijing, China August 10 - 14, 1992. 2

21th International Conference on the Physics of Semiconductors (Alle Bände)

1992

Signatur: UAL920144-2

3C-Siliziumkarbid auf Sol-Gel-Basis : Entwicklung, Wachstumsmechanismen und Charakter anwendungsorientierter Morphologien des Wide-Bandgap-Halbleiters

Friedel, Bettina

2007

Signatur: PQ385

3C-Siliziumkarbid auf Sol-Gel-Basis : Entwicklung, Wachstumsmechanismen und Charakter anwendungsorientierter Morphologien des Wide-Bandgap-Halbleiters [Elektronische Ressource]

Friedel, Bettina

2007

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1976 [Nineteen hundred and seventy-six] crystal growth and materials : a selection of review papers, presented at the 1. European Conference on Crystal Growth ECCG-1 and Materials Symposium, Zurich, Switzerland, 12.-18. Sept. 1976

Current topics in materials science : 2 (Alle Bände)

Kaldis, Emanuel[Herausgeber]

1977

Signatur: UAL3568-2

Ab-initio-Berechnung der (110)-Oberfläche von III-V-Halbleitern : Simulation von Rastertunnelmikroskopie-Aufnahmen

Berichte des Forschungszentrums Jülich : 3215 (Alle Bände)

Engels, Benedikt

1996

Signatur: MQ6761

Abbildung von Potential und Dissipation beim Quanten-Hall-Effekt

Knott, Richard Georg

1994

Signatur: D8785

Ablenkung ballistischer Elektronen in AlGaAs-GaAs-Heterostrukturen mittels elektrischer und magnetischer Felder

Berichte des Forschungszentrums Jülich : 2712 (Alle Bände)

Schäpers, Thomas

1993

Signatur: MQ3397

Advanced silicon and semiconducting silicon alloy based materials and devices

Nijs, Johan F. A[Herausgeber]

1994

Signatur: UIU3573

Advances in microcrystalline and nanocrystalline semiconductors : 1996 ; Symposium held December 2 - 6, 1996, Boston, Mass., USA

Materials Research Society symposium proceedings : 452 (Alle Bände)

Collins, Robert W[Herausgeber]

1997

Signatur: UIU3955

Aluminiumoxid (Al 2 O 3) auf Silizium und Germanium : Untersuchung mittels Elektronenstrahlverdampfer aufgebrachter Schichten durch Photoelektronen-Spektroskopie, Auger-Spektroskopie und Elektronenbeugung

Schug, Christoph Alexander

1990

Signatur: D4267

Ambipolarer Ladungsträger-Transport in Halbleiter-Heterostrukturen

Hillmer, Hartmut

1989

Signatur: D1069

Amorphous and liquid semiconductors : proceedings of the fifth International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors, Garmisch-Partenkirchen, Federal Republic of Germany, September 3-8, 1973

Stuke, J[Herausgeber]

1974-

Signatur: UIU1262-...

Amorphous and liquid semiconductors : proceedings of the fifth International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors, Garmisch-Partenkirchen, Federal Republic of Germany, September 3-8, 1973. 1

Amorphous and liquid semiconductors (Alle Bände)

Stuke, J[Herausgeber]

1974

Signatur: UIU1262-1

Amorphous and liquid semiconductors : proceedings of the fifth International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors, Garmisch-Partenkirchen, Federal Republic of Germany, September 3-8, 1973. 2

Amorphous and liquid semiconductors (Alle Bände)

Stuke, J[Herausgeber]

1974

Signatur: UIU1262-2

AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS. ED

TAUC, J

1974

Signatur: UIU1092

AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS. PROCEEDINGS OF THE FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS ANN ARBOR, MICHIGAN, U.S.A. AUGUST 9-13, 1971. ED

1972

Signatur: UIU1327

Amorphous and microcrystalline semiconductor devices

The Artech House materials science library

Kanicki, Jerzy[Herausgeber]

1991-

Signatur: UIU3311-...

Amorphous and microcrystalline semiconductor devices. 1. Optoelectronic devices

Amorphous and microcrystalline semiconductor devices (Alle Bände)

Kanicki, Jerzy[Herausgeber]

1991

Signatur: UIU3311-1

Amorphous and microcrystalline semiconductor devices. 2. Materials and device physics

Amorphous and microcrystalline semiconductor devices (Alle Bände)

Kanicki, Jerzy[Herausgeber]

1992

Signatur: UIU3311-2

Amorphous semiconductors

CRC MONOSCIENCE SERIES.

Adler, David

1972

Signatur: UIU1296

Amorphous silicon and related materials

Advances in disordered semiconductors : 1 (Alle Bände)

Fritzsche, Hellmut[Herausgeber]

1989-

Signatur: UIU2975-...

Amorphous silicon and related materials. A

Amorphous silicon and related materials (Alle Bände)

Fritzsche, Hellmut[Herausgeber]

1989

Signatur: UIU2975-A

Amorphous silicon and related materials. B

Amorphous silicon and related materials (Alle Bände)

Fritzsche, Hellmut[Herausgeber]

1989

Signatur: UIU2975-B

Analog and digital electronics : a first course

Beards, Peter H

2. ed., 1. [Dr.], 1991

Signatur: YEB2154(2)

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21th International Conference on the Physics of Semiconductors : Beijing, China August 10 - 14, 1992. 1

21th International Conference on the Physics of Semiconductors : Beijing, China August 10 - 14, 1992. 2

3C-Siliziumkarbid auf Sol-Gel-Basis : Entwicklung, Wachstumsmechanismen und Charakter anwendungsorientierter Morphologien des Wide-Bandgap-Halbleiters

3C-Siliziumkarbid auf Sol-Gel-Basis : Entwicklung, Wachstumsmechanismen und Charakter anwendungsorientierter Morphologien des Wide-Bandgap-Halbleiters [Elektronische Ressource]

1976 [Nineteen hundred and seventy-six] crystal growth and materials : a selection of review papers, presented at the 1. European Conference on Crystal Growth ECCG-1 and Materials Symposium, Zurich, Switzerland, 12.-18. Sept. 1976

Ab-initio-Berechnung der (110)-Oberfläche von III-V-Halbleitern : Simulation von Rastertunnelmikroskopie-Aufnahmen

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Ablenkung ballistischer Elektronen in AlGaAs-GaAs-Heterostrukturen mittels elektrischer und magnetischer Felder

Advanced silicon and semiconducting silicon alloy based materials and devices

Advances in microcrystalline and nanocrystalline semiconductors : 1996 ; Symposium held December 2 - 6, 1996, Boston, Mass., USA

Aluminiumoxid (Al 2 O 3) auf Silizium und Germanium : Untersuchung mittels Elektronenstrahlverdampfer aufgebrachter Schichten durch Photoelektronen-Spektroskopie, Auger-Spektroskopie und Elektronenbeugung

Ambipolarer Ladungsträger-Transport in Halbleiter-Heterostrukturen

Amorphous and liquid semiconductors : proceedings of the fifth International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors, Garmisch-Partenkirchen, Federal Republic of Germany, September 3-8, 1973

Amorphous and liquid semiconductors : proceedings of the fifth International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors, Garmisch-Partenkirchen, Federal Republic of Germany, September 3-8, 1973. 1

Amorphous and liquid semiconductors : proceedings of the fifth International Conference on Amorphous and Liquid Semiconductors, Garmisch-Partenkirchen, Federal Republic of Germany, September 3-8, 1973. 2

AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS. ED

AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS. PROCEEDINGS OF THE FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS ANN ARBOR, MICHIGAN, U.S.A. AUGUST 9-13, 1971. ED

Amorphous and microcrystalline semiconductor devices

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