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Optischer Gewinn und Alpha-Faktor in InAlGaAs-InP-Quantenfilmlasern
1999
Signatur: DQ2305
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Ein-Elektron-Ladeeffekte an in GaAs-AlGaAs-Heterostrukturen definierten Quantenpunkten
1994
Signatur: D9444
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Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs, AlGaAs
Berichte des Forschungszentrums Jülich : 2710 (Alle Bände)
1993
Signatur: MQ3440
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Vielteilcheneffekte und Ladungsträgerdynamik in Typ-II-Übergitterstrukturen
1995
Signatur: D10835
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Gallium arsenide : materials, devices, and circuits
The Wiley series in solid state devices and circuits, A Wiley-Interscience publication
1985
Signatur: UIU2810
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Self-assembled InGaAs GaAs quantum dots
Semiconductors and semimetals : 60 (Alle Bände)
1999
Signatur: UIU1733-60
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Zur Struktur von intrinsischen Defekten in GaAs und Al x Ga 1-x As : Untersuchungen mit magnetischer Vielfachresonanz
Berichte aus der Halbleitertechnik
1999
Signatur: UIU4105
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GaAs high speed devices : physics, technology and circuit applications
A Wiley-Interscience publication
1994
Signatur: UIU3696
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Untersuchungen zur Dynamik von Exzitonen unterschiedlicher Dimensionalität in GaAs
1988
Signatur: D220
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Optisch detektierte magnetische Kernspin-Elektronenspin-Doppelresonanz in AlGaAs-GaAs-Heterostrukturen
1996
Signatur: D11375
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Introduction to semiconductor technology : GaAs and related compounds
A Wiley-Interscience publication
1990
Signatur: UIU3345
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Untersuchungen des Elektronentransports in Ge-GaAs-Heterostrukturen
1993
Signatur: D8646
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Electrical characterization of GaAs materials and devices
Design and measurement in electronic engineering
1989
Signatur: UIU3044
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Elektrischer Transport senkrecht zu Halbleitervielschichtstrukturen
1988
Signatur: D1783
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Properties of aluminium gallium arsenide
EMIS datareviews series : 7 (Alle Bände)
1993
Signatur: UIQ4456, MQ7517
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SchlagwortGalliumarsenid
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