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Molecular beam epitaxy : fundamentals and current status

Springer series in materials science : 7 (Alle Bände)

1989

Signatur: UIY1929

Power semiconductor materials and devices : symposium held December 1 - 4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A

Materials Research Society symposium proceedings : 483 (Alle Bände)

Pearton, Stephen J[Herausgeber]

1998

Signatur: YFB3065

Rastertunnelmikroskopie an hochindizierten und vizinalen Silizium-Einkristalloberflächen

Röttger, Bernd

1996

Signatur: D10808

Liquid phase epitaxial growth of III-V compound semiconductor materials and their device applications

Astles, Mike G

1990

Signatur: UIY1987

Spektroskopische Charakterisierung von Schichten und Schichtsystemen aus porösem Silicium

Berichte des Forschungszentrums Jülich : 2979 (Alle Bände)

Thönissen, Markus

1994

Signatur: MQ5365

Direktsynthese und elektronische Eigenschaften von korrugierten Übergittern und Heterostrukturen auf nicht-(100)-orientierten GaAs-Oberflächen

Nötzel, Richard

1992

Signatur: D7563

Einfluss von Oberflächeneffekten auf die Transporteigenschaften von Halbleiter-Punktkontakten

Lehr, Martin

1992

Signatur: D7957

The MOCVD challenge

Razeghi, Manijeh

Signatur: UIY1945-...

Epitaktisches Wachstum von Beta-SiC-Schichten auf Siliziumsubstraten durch chemische Gasphasenabscheidung

Ruhnau, Ulrich

1996

Signatur: D11027

Oberflächenphotospannung der Silizium(111)7x7-Oberfläche

Berichte des Forschungszentrums Jülich : 2587 (Alle Bände)

Stubenrauch, Frank M

1992

Signatur: MQ2586

Ultraclean semiconductor processing technology and surface chemical cleaning and passivation : symposium held April 17 - 19, 1995, San Francisco, California, U.S.A

Material Research Society symposium proceedings : 386 (Alle Bände)

Liehr, Michael[Herausgeber]

1995

Signatur: YGY2107

Aufbau eines optischen Meßplatzes zur Bestimmung der Defektabsorption in amorphen Halbleitern mittels Constant Photocurrent Method (CPM)

Berichte des Forschungszentrums Jülich : 2661 (Alle Bände)

Wagner, Michael

1992

Signatur: MQ2657

Ab-initio-Berechnung der (110)-Oberfläche von III-V-Halbleitern : Simulation von Rastertunnelmikroskopie-Aufnahmen

Berichte des Forschungszentrums Jülich : 3215 (Alle Bände)

Engels, Benedikt

1996

Signatur: MQ6761

Surface phases on silicon : preparation, structures, and properties

1994

Signatur: UIY2268

Mechanisms of reactions of organometallic compounds with surfaces : proceedings of a NATO Advanced Research Workshop on the Mechanisms of Reactions of Organometallic Compounds with Surfaces, held June 22 - 24, 1988, in St. Andrews, Fife, Scotland, United Kingdom

NATO ASI series : Series B : 198 (Alle Bände)

Cole-Hamilton, David J[Herausgeber]

1989

Signatur: UAL880425

Untersuchung von Streuprozessen in zweidimensionalen Elektronengasen mittels ballistischer Elektronen

Berichte des Forschungszentrums Jülich : 2711 (Alle Bände)

Müller, Frank

1993

Signatur: MQ3398

Metallorganische Molekularstrahlepitaxie im Heterosystem GaAs, AlGaAs

Berichte des Forschungszentrums Jülich : 2710 (Alle Bände)

Kamp, Markus

1993

Signatur: MQ3440

Polymer films with embedded metal nanoparticles

Springer series in materials science : 52 (Alle Bände), Physics and astronomy online liberary

Heilmann, Andreas

2003

Signatur: UIY2527

Surface electronic transport phenomena in semiconductors

Series on semiconductor science and technology : 2 (Alle Bände)

1991

Signatur: UIU3222

Zinc oxide bulk, thin films and nanostructures : processing, properties and applications

Jagadish, C[Herausgeber]

2006

Signatur: YFB3659

Molecular beam epitaxy and characterization of doped and undoped cubic GaN layers

Berichte aus der Halbleitertechnik

Schöttker, Bernd

Als Ms. gedr, 1999

Signatur: UIY2488, P1314

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Mechanisms of reactions of organometallic compounds with surfaces : proceedings of a NATO Advanced Research Workshop on the Mechanisms of Reactions of Organometallic Compounds with Surfaces, held June 22 - 24, 1988, in St. Andrews, Fife, Scotland, United Kingdom

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