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Herstellung und Untersuchung passivierender Grenzschichten in amorphen Silizium-Schottky-Solarzellen
Konstanzer Dissertationen : 343 (Alle Bände)
1. Aufl, 1991 [erschienen] 1992
Signatur: D6142
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Instabilities in silicon devices. 1. Silicon passivation and related instabilities
Instabilities in silicon devices (Alle Bände)
1986
Signatur: UIU3078-1
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Light emission in silicon : from physics to devices
Semiconductors and semimetals : 49 (Alle Bände)
1998
Signatur: UIU1733-49
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Quantenausbeute- und Admittanzspektroskopie zur Analyse der Ladungsträgerrekombination in Silizium-Solarzellen
1995
Signatur: D10247
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LEED-Experimente an beleuchteten Si(111)-Oberflächen zur Frage lichtinduzierter, atomarer Bewegung
Konstanzer Dissertationen : 296 (Alle Bände)
1. Aufl, 1990 [erschienen] 1991
Signatur: D4321
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Instabilities in silicon devices
Signatur: UIU3078-...
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Amorphous silicon and related materials
Advances in disordered semiconductors : 1 (Alle Bände)
1989-
Signatur: UIU2975-...
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Simulation and test of metastability of a-Si,µc-Si solar modules under outdoor conditions
Berichte aus der Physik
2017
Signatur: UIU4985
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Germanium silicon: physics and materials
Semiconductors and semimetals : 56 (Alle Bände)
1999
Signatur: UIU1733-56
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Properties of silicon germanium and SiGe : carbon
Emis datareviews series : 24 (Alle Bände)
2000
Signatur: MQ13033
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Properties of strained and relaxed silicon germanium
EMIS datareviews series : 12 (Alle Bände)
1995
Signatur: UIU3701
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Strukturelle und elektrische Eigenschaften von epitaktischen, metallischen und halbleitenden Siliziden
Berichte des Forschungszentrums Jülich : 2792 (Alle Bände)
1993
Signatur: MQ3873
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Hydrogenated amorphous silicon
Cambridge solid state science series
1991
Signatur: UIU3230
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Zur Physik des Passivierungsproblems von hochsperrenden pn-Übergängen : Passivierung durch Halbleiter-Hetero-Übergänge
1989
Signatur: D714
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Surface phases on silicon : preparation, structures, and properties
1994
Signatur: UIY2268
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Hochauflösende Elektronenenergieverlustspektroskopie an ultradünnen Eisenfilmen und der wasserstoffterminierten Si(111)-Oberfläche
Berichte des Forschungszentrums Jülich : 2555 (Alle Bände)
1991
Signatur: MQ1987
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Molecular beam epitaxy and characterization of doped and undoped cubic GaN layers
Berichte aus der Halbleitertechnik
Als Ms. gedr, 1999
Signatur: UIY2488, P1314
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Autor / AutorinBonč-Bruevič, Viktor Leopolʹdovič
Autor / AutorinCoughran, William M
SystemstelleUFF
SchlagwortSilicium
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