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Generierung von Defekten auf der Waferkante mittels Nanosekunden-Laserablation für die Analyse von Messsystemen : = Generation of defects on the wafer edge for the analysis of measurement systems
Erscheinungsjahr
2012
Verknüpfte Titel
Beschreibungen/Notizen
Tag der Verteidigung: 13.09.2012
Paderborn, Univ., Diss., 2012
ger: Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Generierung von Defekten auf der Waferkante für die Analyse von Kanteninspektionsgeräten. Das Ziel war die Generierung von „standardisierten“ Defekten/Wafern, die eine Analyse/Bewertung von Kanteninspektionsgeräten ermöglicht. Im Vordergrund steht die Methode mittels Nanosekunden-Laserablation. Weitere Methoden und deren Bewertung sind am Ende der Arbeit aufgeführt.
eng: This work deals with the generation of defects on the wafer edge for the analysis of Wafer Edge Defect Detection Systems. The aim of this work was the creation of standardized defects/wafers allowing a detailed and reproducible analysis of Wafer Edge Defect Detection Systems. The main part of this dissertation focuses on the technique of ns-laser ablation. Alternative methods of defect generation on the wafer edge and their evaluation are discussed in later chapters of this work.