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The insulated gate bipolar transistor, IGBT : theory and design
2003
Signatur: YEP3249

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
The insulated gate bipolar transistor, IGBT : theory and design
Ort / Verlag
Piscataway, NY : IEEE Press [u.a.]
Erscheinungsjahr
2003
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Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 0471238457
OCLC-Nummer: 248864137, 248864137
Titel-ID: 990009466360106463
Format
XIX, 627 S. : Ill., graph. Darst.
Systemstelle
YEP

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