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Electron paramagnetic resonance of process induced defects in silicon
2001
Signatur: PQ182

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Electron paramagnetic resonance of process induced defects in silicon
Erscheinungsjahr
2001
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Verknüpfte Titel
Beschreibungen/Notizen
  • Paderborn, Univ., Diss., 2001
Sprache
Englisch
Identifikatoren
OCLC-Nummer: 1106668555, 1106668555
Titel-ID: 990008410370106463
Format
122 S. : graph. Darst.
Systemstelle
UIO, UIQ

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