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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Technologie hochintegrierter Schaltungen [electronic resource]
Auflage
2nd ed. 1996
Ort / Verlag
Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg
Erscheinungsjahr
1996
Link zum Volltext
Beschreibungen/Notizen
  • Bibliographic Level Mode of Issuance: Monograph
  • 1 Einleitung -- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen -- Literatur zu Kapitel 2 -- 3 Schichttechnik -- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung -- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe -- 3.3 Epitaxieschichten -- 3.4 Thermische SiO2-Schichten -- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten -- 3.6 Phosphorglasschichten -- 3.7 Siliziumnitridschichten -- 3.8 Polysiliziumschichten -- 3.9 Silizidschichten -- 3.10 Refraktär-Metallschichten -- 3.11 Aluminiumschichten -- 3.12 Organische Schichten -- 3.13 Literatur zu Kapitel 3 -- 4 Lithographie -- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte -- 4.2 Photolithographie -- 4.3 Röntgenlithographie -- 4.4 Elektronenlithographie -- 4.5 Ionenlithographie -- 4.6 Strukturerzeugung ohne Lithographie -- 4.7 Literatur zu Kapitel 4 -- 5 Ätztechnik -- 5.1 Naßätzen -- 5.2 Trockenätzen -- 5.3 Trockenätzprozesse -- 5.4 Literatur zu Kapitel 5 -- 6 Dotiertechnik -- 6.1 Thermische Dotierung -- 6.2 Dotierung mittels Ionenimplantation -- 6.3 Aktivierung und Diffusion von Dotieratomen -- 6.4 Diffusion von nichtdotierenden Stoffen -- 6.5 Literatur zu Kapitel 6 -- 7 Reinigungstechnik -- 7.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen -- 7.2 Reine Räume, Materialien und Prozesse -- 7.3 Scheibenreinigung -- 7.4 Literatur zu Kapitel 7 -- 8 Prozeßintegration -- 8.1 Die verschiedenen MOS- und Bipolar-Technologien -- 8.2 Architektur der Gesamtprozesse -- 8.3 Transistoren in Integrierten Schaltungen -- 8.4 Speicherzellen -- 8.5 Mehrlagenmetallisierung -- 8.6 Detaillierte Prozeßfolge ausgewählter Gesamtprozesse -- 8.7 Literatur zu Kapitel 8.
  • German
Sprache
Deutsch
Identifikatoren
ISBN: 3-642-61415-9
DOI: 10.1007/978-3-642-61415-6
Titel-ID: 9925045573706463