Details

Autor(en) / Beteiligte

• Hilleringmann, Ulrich

Titel

Silizium-Halbleitertechnologie [electronic resource]

Auflage

1st ed. 1996

Ort / Verlag

Wiesbaden : Vieweg+Teubner Verlag

Erscheinungsjahr

1996

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Beschreibungen/Notizen

• Bibliographic Level Mode of Issuance: Monograph
• 1 Einleitung -- 1.1 Aufgabe -- 2 Herstellung von Siliziumscheiben -- 2.1 Silizium als Basismaterial -- 2.2 Herstellung und Reinigung des Rohmaterials -- 2.3 Herstellung von Einkristallen -- 2.4 Kristallbearbeitung -- 2.5 Aufgaben zur Scheibenherstellung -- 3 Oxidation des dotierten Siliziums -- 3.1 Die thermische Oxidation von Silizium -- 3.2 Modellierung der Oxidation -- 3.3 Die Grenzfläche SiO2/Silizium -- 3.4 Segregation -- 3.5 Abscheideverfahren für Oxid -- 3.6 Aufgaben zur Oxidation des Siliziums -- 4 Lithografie -- 4.1 Maskentechnik -- 4.2 Belackung -- 4.3 Belichtungsverfahren -- 4.3.2 Elektronenstrahl-Lithografie -- 4.4 Lackbearbeitung -- 4.5 Aufgaben zur Lithografietechnik -- 5 Ätztechnik -- 5.1 Naßchemisches Ätzen -- 5.2 Trockenätzen -- 5.3 Endpunktdetektion -- 5.4 Aufgaben zur Ätztechnik -- 6 Dotiertechniken -- 6.1 Legierung -- 6.2 Diffusion -- 6.2.2 Diffusionsverfahren -- 6.3 Ionenimplantation -- 6.4 Aufgaben zu den Dotiertechniken -- 7 Depositionsverfahren -- 7.1 Chemische Depositionsverfahren -- 7.2 Physikalische Depositionsverfahren -- 7.3 Aufgaben zu den Abscheidetechniken -- 8 Metallisierung und Kontakte -- 8.1 Der Metall-Halbleiter-Kontakt -- 8.2 Mehrlagenverdrahtung -- 8.3 Zuverlässigkeit der Aluminium-Metallisierung -- 8.4 Aufgaben zur Kontaktierung -- 9 Scheibenreinigung -- 9.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen -- 9.2 Reinigungstechniken -- 9.3 Ätzlösungen zur Scheibenreinigung -- 9.4 Beispiel einer Reinigungssequenz -- 9.5 Aufgaben zur Scheibenreinigung -- 10 MOS-Technologien zur Schaltungsintegration -- 10.1 Einkanal MOS-Techniken -- 10.2 Der n-Wannen Silizium-Gate CMOS-Prozeß -- 10.3 Funktionstest und Parametererfassung -- 10.4 Aufgaben zur MOS-Technik -- 11 Erweiterungen zur Höchstintegration -- 11.1 Lokale Oxidation von Silizium (LOCOS-Technik) -- 11.2 MOS-Transistoren für die Höchstintegration -- 11.3 SOI-Techniken -- 11.4 Aufgaben zur Höchstintegrationstechnik -- 12 Bipolar-Technologie -- 12.1 Die Standard-Buried-Collector Technik -- 12.2 Fortgeschrittene SBC-Technik -- 12.3 Selbstjustierender Bipolarprozeß -- 12.4 BiCMOS-Techniken -- 12.5 Aufgaben zur Bipolartechnologie -- 13 Montage Integrierter Schaltungen -- 13.1 Vorbereitung der Scheiben zur Montage -- 13.2 Schaltungsmontage -- 13.3 Kontaktierverfahren -- 13.4 Endbearbeitung der Substrate -- 13.5 Aufgaben zur Chipmontage -- Anhang: Lösungen der Aufgaben -- Stichwortverzeichnis.
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