Details

Autor(en) / Beteiligte

• Hilleringmann, Ulrich

Titel

Silizium-Halbleitertechnologie [electronic resource]

Auflage

4th ed. 2004

Ort / Verlag

Wiesbaden : Vieweg+Teubner Verlag

Erscheinungsjahr

2004

Link zum Volltext

• SpringerLink Books - AutoHoldings

Beschreibungen/Notizen

• Bibliographic Level Mode of Issuance: Monograph
• 1 Einleitung -- 1.1 Aufgaben -- 2 Herstellung von Siliziumscheiben -- 2.1 Silizium als Basismaterial -- 2.2 Herstellung und Reinigung des Rohmaterials -- 2.3 Herstellung von Einkristallen -- 2.4 Kristallbearbeitung -- 2.5 Aufgaben zur Scheibenherstellung -- 3 Oxidation des dotierten Siliziums -- 3.1 Die thermische Oxidation von Silizium -- 3.2 Modellierung der Oxidation -- 3.3 Die Grenzfläche SiO2/Silizium -- 3.4 Segregation -- 3.5 Abscheideverfahren für Oxid -- 3.6 Aufgaben zur Oxidation des Siliziums -- 4 Lithografie -- 4.1 Maskentechnik -- 4.2 Belackung -- 4.3 Belichtungsverfahren -- 4.4 Lackbearbeitung -- 4.5 Aufgaben zur Lithografietechnik -- 5 Ätztechnik -- 5.1 Nasschemisches Ätzen -- 5.2 Trockenätzen -- 5.3 Endpunktdetektion -- 5.4 Aufgaben zur Ätztechnik -- 6 Dotiertechniken -- 6.1 Legierung -- 6.2 Diffusion -- 6.3 Ionenimplantation -- 6.4 Aufgaben zu den Dotiertechniken -- 7 Depositionsverfahren -- 7.1 Chemische Depositionsverfahren -- 7.2 Physikalische Depositionsverfahren -- 7.3 Aufgaben zu den Abscheidetechniken -- 8 Metallisierung und Kontakte -- 8.1 Der Metall-Halbleiter-Kontakt -- 8.2 Mehrlagenverdrahtung -- 8.3 Zuverlässigkeit der Aluminium-Metallisierung -- 8.4 Kupfermetallisierung -- 8.4 Aufgaben zur Kontaktierung -- 9 Scheibenreinigung -- 9.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen -- 9.2 Reinigungstechniken -- 9.3 Ätzlösungen zur Scheibenreinigung -- 9.4 Beispiel einer Reinigungssequenz -- 9.5 Aufgaben zur Scheibenreinigung -- 10 MOS-Technologien zur Schaltungsintegration -- 10.1 Einkanal MOS-Techniken -- 10.2 Der n-Wannen Silizium-Gate CMOS-Prozess -- 10.3 Funktionstest und Parametererfassung -- 10.4 Aufgaben zur MOS-Technik -- 11 Erweiterungen zur Höchstintegration -- 11.1 Lokale Oxidation von Silizium (LOCOS-Technik) -- 11.2 MOS-Transistoren für die Höchstintegration -- 11.3 SOI-Techniken -- 11.4 Transistoren mit Nanometer-Abmessungen -- 11.5 Aufgaben zur Höchstintegrationstechnik -- 12 Bipolar-Technologie -- 12.1 Die Standard-Buried-Collector Technik -- 12.2 Fortgeschrittene SBC-Technik -- 12.3 Bipolarprozess mit selbstjustiertem Emitter -- 12.4 BiCMOS-Techniken -- 12.5 Aufgaben zur Bipolartechnologie -- 13 Montage integrierter Schaltungen -- 13.1 Vorbereitung der Scheiben zur Montage -- 13.2 Schaltungsmontage -- 13.3 Kontaktierverfahren -- 13.4 Endbearbeitung der Substrate -- 13.5 Aufgaben zur Chipmontage -- Anhang A: Lösungen der Aufgaben -- Anhang B: Farbtabelle Oxiddicken -- Anhang C: Chemische Verbindungen und Abkürzungen -- Stichwortverzeichnis.
• Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003.
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