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Herstellung ultra-dünner hoch-varepsilon_rOxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen
Research at NaMLab
2019

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Herstellung ultra-dünner hoch-varepsilon_rOxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen
Ist Teil von
  • Research at NaMLab
Ort / Verlag
Berlin : Logos Verlag
Erscheinungsjahr
2019
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Sprache
Deutsch
Identifikatoren
ISBN: 9783832587710, 9783832549947
Titel-ID: 990370180580206441
Format
Online-Ressource (171 S.)
Schlagworte
Halbleiterspeicher, Zirkondioxid, Hafniumdioxid, dynamische Arbeitsspeicher, DünneOxide