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Molecular beam epitaxy and characterization of doped and undoped cubic GaN layers
Berichte aus der Halbleitertechnik
Als Ms. gedr, 1999
Signatur: UIY2488, P1314

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Molecular beam epitaxy and characterization of doped and undoped cubic GaN layers
Ist Teil von
  • Berichte aus der Halbleitertechnik
Auflage
Als Ms. gedr
Ort / Verlag
Aachen : Shaker
Erscheinungsjahr
1999
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Beschreibungen/Notizen
  • Paderborn, Univ., Diss., 1999
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 3826566262
OCLC-Nummer: 722855322, 722855322
Titel-ID: 990008110680106463
Format
II, 106 S. : Ill., graph. Darst.
Systemstelle
UIU, UIY
Schlagworte
Galliumnitrid, Molekularstrahlepitaxie, Dotierung, Magnesium, Silicium, Dünne Schicht, Photolumineszenz, Hall-Effekt

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