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III-nitride, SiC and diamond materials for electronic devices : symposium held April 8 - 12, 1996, San Francisco, California, U.S.A
Materials Research Society symposium proceedings : 423
(
Alle Bände
)
Gaskill, D. Kurt
[Herausgeber]
1996
Signatur:
UIU3947
Details
Autor(en) / Beteiligte
Gaskill, D. Kurt
[Herausgeber]
Titel
III-nitride, SiC and diamond materials for electronic devices : symposium held April 8 - 12, 1996, San Francisco, California, U.S.A
Ist Teil von
Materials Research Society symposium proceedings : 423
(
Alle Bände
)
Ort / Verlag
Pittsburgh, Pa. : MRS, Materials Research Soc.
Erscheinungsjahr
1996
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Inhaltsverzeichnis
Sprache
–
Identifikatoren
ISBN: 1558993266
OCLC-Nummer: 246780770, 246780770
Titel-ID: 990007183280106463
Format
XVII, 792 S. : Ill., graph. Darst.
Systemstelle
UIU
Schlagworte
Halbleiterwerkstoff
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