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Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphorus containing III - V heterostructures
Springer series in materials science : 26 (Alle Bände)
1993
Signatur: UIY2179

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphorus containing III - V heterostructures
Ist Teil von
Ort / Verlag
Berlin [u.a.] : Springer
Erscheinungsjahr
1993
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 354056540X, 038756540X
OCLC-Nummer: 246790756, 246790756
Titel-ID: 990006335330106463
Format
XIV, 428 S. : Ill., graph. Darst.
Systemstelle
UIY
Schlagworte
Drei-Fünf-Halbleiter, Heterostruktur, Molekularstrahlepitaxie

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