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Effect of Post-Hydrogenation on the Structural Properties of Amorphous Silicon Network
Japanese Journal of Applied Physics, 2004-02, Vol.43 (2), p.454-458
2004
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Excitonic recombinations and energy levels of highly boron doped homoepitaxial diamond films before and after hydrogenation
Diamond and related materials, 2005-03, Vol.14 (3-7), p.350-354
2005
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Role of atomic hydrogen during growth of hydrogenated amorphous silicon in the chemical annealing
Japanese Journal of Applied Physics, 1991-04, Vol.30 (4B), p.L679-L682
1991
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The effects of post-hydrogenation on amorphous-silicon thin-film transistors
Electronics & communications in Japan. Part 2, Electronics, 1993, Vol.76 (10), p.66-73
1993
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Characterization of chemical-vapor-deposited amorphous-silicon films
Japanese Journal of Applied Physics, 1993-01, Vol.32 (1A/B), p.L20-L23
1993
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A novel post-hydrogenation process for chemical-vapor-deposited a-Si thin-film transistors
Japanese Journal of Applied Physics, 1993-07, Vol.32 (7B), p.L981-L983
1993
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