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SiC power devices - Present status, applications and future perspective
2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2011, p.10-15
2011
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High Power Density ScAlN-Based Heterostructure FETs for mm-Wave Applications
2019 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2019, p.1136-1139
2019
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An Ultra-High Efficiency High Power Density 140W PD3.1 AC-DC Adapter Using GaN Power ICs
2023 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2023, p.1252-1258
2023
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ScAlN-GaN Transistor Technology for Millimeter-wave Ultra-high Power and Efficient MMICs
2022 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2022, 2022, p.295-297
2022
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On the impact of carbon-doping on the dynamic Ron and off-state leakage current of 650V GaN power devices
2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2015, p.37-40
2015
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Advanced SPICE Model for GaN HEMTs (ASM-HEMT): A New Industry-Standard Compact Model for GaN-Based Power and RF Circuit Design
1st Edition 2022, 2021
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ON-State Gate Stress Induced Threshold Voltage Instabilities in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs
2020 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), 2020, p.1-4
2020
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Design, Analysis and Evaluation of a Broadband High-Power Amplifier for Ka-Band Frequencies
2019 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2019, p.564-567
2019
Open Access
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Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications
2021
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Mechanisms responsible for dynamic ON-resistance in GaN high-voltage HEMTs
2012 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2012, p.333-336
2012
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High-power K-band GaN PA MMICs and module for NPR and PAE
2017 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2017, p.1838-1841
2017
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Room-temperature optical gain in terahertz quantum cascade lasers based on GaAs/AlGaAs, GaN/AlGaN, ZnO/ZnMgO
2022 28th International Semiconductor Laser Conference (ISLC), 2022, p.1-2
2022
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Novel High-speed Linear GaN Technology with High Efficiency
2019 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2019, p.1130-1132
2019
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A 2 to 18 GHz Compact High-Gain and High-Power GaN Amplifier
2019 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2019, p.710-713
2019
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Normally-off high-voltage p-GaN gate GaN HFET with carbon-doped buffer
2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2011, p.239-242
2011
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GaN for power devices: Benefits, applications, and normally-off technologies
2017 International Semiconductor Conference (CAS), 2017, p.11-18
2017
Open Access
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Wide Bandgap Based Devices: Design, Fabrication and Applications, Volume II
2022
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Normally-off AlGaN/GaN HFET with p-type GaN Gate and AlGaN buffer
2010 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2010, p.347-350
2010
Open Access
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Nanoelectronic Materials, Devices and Modeling
2019
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Millimeter-Wave Single-Pole Double-Throw Switches Based on a 100-nm Gate-Length AlGaN/GaN-HEMT Technology
2019 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2019, p.1403-1406
2019
Open Access
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Micro- and Nanotechnology of Wide Bandgap Semiconductors
2021
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Decade bandwidth 2 to 20 GHz GaN HEMT power amplifier MMICs in DFP and No FP technology
2011 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, 2011, p.1-4
2011
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Characterization and Modeling of a 1.3 kV Vertical GaN Diode
2022 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2022, p.928-935
2022
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A 40 dBm AlGaN/GaN HEMT power amplifier MMIC for SatCom applications at K-band
2016 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2016, p.1-4
2016
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Open Access
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Importance Weighted Adversarial Nets for Partial Domain Adaptation
2018 IEEE/CVF Conference on Computer Vision and Pattern Recognition, 2018, p.8156-8164
2018
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