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(0 0 1) Ideal-surface band structure for the series of Cu-based A I B III C 2 VI chalcopyrites

The Journal of physics and chemistry of solids, 2007, Vol.68 (1), p.1-9

2007

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A 0.0004% (−108dB) THD+N, 112dB-SNR, 3.15W fully differential Class-D audio amplifier with Gm noise cancellation and negative output-common-mode injection techniques

2018 IEEE International Solid - State Circuits Conference - (ISSCC), 2018, p.58-60

2018

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IEEE_Xplore

A 0.000747 %/V, 64.59 dB PSRR CMOS-only voltage reference for ultra-low power WSN applications

International journal of electronics and communications, 2022-12, Vol.157, p.154420, Article 154420

2022

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A 0.001-mm2 112.32-μW All-Digital PLL with Dual-Tuned DCO and Dual-Tuned Control Algorithm

Circuits, systems, and signal processing, 2022-03, Vol.41 (3), p.1563-1576

2022

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A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS

Electronics (Basel), 2022-06, Vol.11 (11)

2022

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0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate

Electronics letters, 2013-05, Vol.49 (11), p.692-694

2013

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A 0.0018 mm frequency-to-digital-converter-based CMOS smart temperature sensor

Analog integrated circuits and signal processing, 2010-08, Vol.64 (2), p.153-157

2010

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A 0.002-mm ^ 6.4-mW 10-Gb/s Full-Rate Direct DFE Receiver With 59.6% Horizontal Eye Opening Under 23.3-dB Channel Loss at Nyquist Frequency

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2014-12, Vol.62 (12), p.3107-3117

2014

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A 0.002‐mm2 8‐bit 1‐MS/s low‐power time‐based DAC (T‐DAC)

IET circuits, devices & systems, 2021-11, Vol.15 (8), p.738-744

2021

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A 0.0023 mm[Formula Omitted]/ch. Delta-Encoded, Time-Division Multiplexed Mixed-Signal ECoG Recording Architecture With Stimulus Artifact Suppression

IEEE transactions on biomedical circuits and systems, 2020-04, Vol.14 (2), p.319

2020

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A 0.004-mm ^ Portable Multiphase Clock Generator Tile for 1.2-GHz RISC Microprocessor

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2008-02, Vol.55 (2), p.116-120

2008

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A 0.004% resolution & SAT<1.8 μson-chip adaptive anti-aging system using cuckoo intelligence-based algorithm in 65 nm CMOS

Integration (Amsterdam), 2021-05, Vol.78, p.135-143

2021

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A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording

Electronics (Basel), 2022-11, Vol.11 (21)

2022

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A 0.0043-mm2 0.085-μW/MHz Relaxation Oscillator Using Charge-Prestored Asymmetric Swings R- RC Network

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2023-08, Vol.31 (8), p.1248

2023

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A 0.0056-mm2 −249-dB-FoM All-Digital MDLL Using a Block-Sharing Offset-Free Frequency-Tracking Loop and Dual Multiplexed-Ring VCOs

IEEE journal of solid-state circuits, 2019-01, Vol.54 (1), p.88-98

2019

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A 0.006 mm2 1.2 \mu W Analog-to-Time Converter for Asynchronous Bio-Sensors

IEEE journal of solid-state circuits, 2018-09, Vol.53 (9), p.2604-2613

2018

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A 0.0084-mV-FOM, Fast-Transient and Low-Power External-Clock-Less Digital LDO Using a Gear-Shifting Comparator for the Wide-Range Adaptive Sampling Frequency

ESSCIRC 2021 - IEEE 47th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), 2021, p.351-354

2021

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A 0.009-1.4-GHz Frequency Synthesizer With Suppressed Transients During VCO Band Switching

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2015-12, Vol.62 (12), p.1129-1133

2015

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0.01-22-GHz Feedback-Stabilized Single-Supply GaAs Cascode Distributed Amplifiers

IEEE microwave and wireless components letters, 2021-12, Vol.31 (12), p.1291-1294

2021

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A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2012-02, Vol.60 (2), p.381-386

2012

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A 0.01-mm2 Mostly Digital Capacitor-Less AFE for Distributed Autonomous Neural Sensor Nodes

IEEE solid-state circuits letters, , Vol.1 (7), p.162-165

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A 0.01%THD, 70dB PSRR Single Ended Class D using variable hysteresis control for headphone amplifiers

2009 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2009, p.1181-1184

2009

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A 0.0106 mm2 8nW Resistor-Less BJT Bandgap Reference in 65nm

ESSCIRC 2023- IEEE 49th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), 2023, p.85-88

2023

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0.012 mm super(2) 800 mu W 0.1-6.4 GHz multi-protocol PLL with 14 ps sub(rms) integrated jitter in 28 nm FD-SOI

Electronics letters, 2016-09, Vol.52 (18), p.1518-1520

2016

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0.012 mm2 800 µW 0.1–6.4 GHz multi-protocol PLL with 14 psrms integrated jitter in 28 nm FD-SOI

Electronics letters, 2016-09, Vol.52 (18), p.1518-1520

2016

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