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Structural fluctuations cause spin-split states in tetragonal (CH 3 NH 3 )PbI 3 as evidenced by the circular photogalvanic effect

Proceedings of the National Academy of Sciences - PNAS, 2018-09, Vol.115 (38), p.9509-9514

2018

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Electrochemical etching strategy for shaping monolithic 3D structures from 4H-SiC wafers

Scientific reports, 2023-11, Vol.13 (1), p.19086-19086, Article 19086

2023

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Nachhaltige Pflegeausbildung

Pflege Zeitschrift, 2023-09, Vol.76 (9), p.40-42

Weber, Heiko

2023

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Zum Konzept der Nachhaltigkeit in Arbeit, Beruf und Bildung - Stand in Forschung und Praxis

Bundesinstitut für Berufsbildung (Bonn)

2023

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Laser-Triggered Bottom-Up Transcription of Chemical Information: Toward Patterned Graphene/MoS 2 Heterostructures

Journal of the American Chemical Society, 2022-06, Vol.144 (22), p.9645-9650

2022

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Molecular Stacking on Graphene

Angewandte Chemie, 2022-08, Vol.134 (33), p.n/a

2022

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Charge transport in C60-based single-molecule junctions with graphene electrodes

Nanoscale, 2017-06, Vol.9 (21), p.7217-7226

2017

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Basal Plane Dislocation Conversion Enhancement in 4H-SiC Homo-Epitaxial Layers by Ion Implantation into the Wafer

Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.114-118

2019

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Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs

Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.277-280

2018

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On deep level transient spectroscopy of extended defects in n-Type 4H-SiC

2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), 2017-05, Vol.897, p.1-1

2017

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On the Origin of Threshold Voltage Instability under Operating Conditions of 4H-SiC n-Channel MOSFETs

Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.473-476

2016

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Berufliche Bildung für nachhaltige Entwicklung. Vom Projekt zur Struktur – aus gelungenen BBNE-Beispielen lernen

2021

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Hierarchical Assembly and Sensing Activity of Patterned Graphene‐Hamilton Receptor Nanostructures

Advanced materials interfaces, 2022-06, Vol.9 (16), p.n/a

2022

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Light-field-driven electronics in the mid-infrared regime: Schottky rectification

Science advances, 2022-06, Vol.8 (22), p.eabj5014-eabj5014

2022

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Passivation and Generation of States at P-Implanted Thermally Grown and Deposited N-Type 4H-SiC/SiO2 Interfaces

Materials science forum, 2016-05, Vol.858, p.697-700

2016

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Organic Field Effect Transistors: Noncovalent Functionalization and Passivation of Black Phosphorus with Optimized Perylene Diimides for Hybrid Field Effect Transistors (Adv. Mater. Interfaces 23/2020)

Advanced materials interfaces, 2020-12, Vol.7 (23), p.n/a

2020

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Quantitative investigation of near interface traps in 4H-SiC MOSFETs via drain current deep level transient spectroscopy

2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), 2017-05, Vol.897, p.1-1

2017

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Cover Picture: Monolithic circuits with epitaxial graphene/silicon carbide transistors (Phys. Status Solidi RRL 8/2014)

Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2014-08, Vol.8 (8), p.n/a

2014

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Graphene Ohmic Contacts to n-Type Silicon Carbide (0001)

Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.933-936

2015

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Highly Efficient and Reversible Covalent Patterning of Graphene: 2D‐Management of Chemical Information

Angewandte Chemie, 2020-03, Vol.132 (14), p.5651-5655

2020

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Innenrücktitelbild: Highly Efficient and Reversible Covalent Patterning of Graphene: 2D‐Management of Chemical Information (Angew. Chem. 14/2020)

Angewandte Chemie, 2020-03, Vol.132 (14), p.5901-5901

2020

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Doping of 4H-SiC with Group IV Elements

Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.301-307

2016

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Reduction of Implantation-Induced Point Defects by Germanium Ions in n-Type 4H-SiC

Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.347-350

2015

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Gestaltung nachhaltiger Lernorte in der Berufsbildung in Europa. Denkanstoß des Forschungsinstituts Betriebliche Bildung (f-bb) für die Umsetzung des europäischen Grünen Deals und einer sozial-ökologischen Transformation

2021

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Electrical Properties of Hydrogen Intercalated Epitaxial Graphene/SiC Interface Investigated by Nanoscale Current Mapping

Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.929-932

2015

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