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Numbers of donors and acceptors from transport measurements in graphene
Applied physics letters, 2007-09, Vol.91 (10)
2007
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Near-infrared stimulated emission from indium-rich InGaN layers grown by plasma-assisted MBE
Applied physics letters, 2021-04, Vol.118 (15)
2021
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All-epitaxial Al/AlGaN/GaN low-barrier Schottky diodes
Applied physics letters, 2022-12, Vol.121 (23)
2022
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High-frequency rectification in graphene lateral p-n junctions
Applied physics letters, 2018-01, Vol.112 (4)
2018
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Defect reduction in GaN/(0001)sapphire films grown by molecular beam epitaxy using nanocolumn intermediate layers
Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (12), p.121902-121902-3
2008
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Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe
Applied physics letters, 2014-09, Vol.105 (10)
2014
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Polariton multistability and fast linear-to-circular polarization conversion in planar microcavities with lowered symmetry
Applied physics letters, 2013-01, Vol.102 (1), p.11104
2013
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Highly mismatched N-rich GaN1−xSbx films grown by low temperature molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2013-03, Vol.102 (10)
2013
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Molecular beam epitaxy of GaBiAs on ( 311 ) B GaAs substrates
Applied physics letters, 2007-12, Vol.91 (25), p.251909-251909-3
2007
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Investigation of deformations and strain fields in silicon matrix structures embedded with vertically stacked Ge(Si) self-assembled islands
Applied physics letters, 2014-10, Vol.105 (16)
2014
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Distribution of bismuth atoms in epitaxial GaAsBi
Applied physics letters, 2011-03, Vol.98 (10), p.101902-101902-3
2011
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Dropout dynamics in pulsed quantum dot lasers due to mode jumping
Applied physics letters, 2015-06, Vol.106 (26)
2015
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Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grown by MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate
Applied physics letters, 2016-08, Vol.109 (6)
2016
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Strongly temperature dependent resistance of meander-patterned graphene
Applied physics letters, 2017-03, Vol.110 (11)
2017
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  • BibTeX
Acoustic modes and elastic properties of polymeric nanostructures
Applied physics letters, 2005-10, Vol.87 (17), p.173121-173121-3
2005
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  • BibTeX
High-power single mode ( > 1 W ) continuous wave operation of longitudinal photonic band crystal lasers with a narrow vertical beam divergence
Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (10), p.103515-103515-3
2008
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  • BibTeX
Atomic layer deposition of CuCl nanoparticles
Applied physics letters, 2010-12, Vol.97 (24), p.241905-241905-3
2010
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  • BibTeX
Transition from planar to island growth mode in SiGe structures fabricated on SiGe/Si(001) strain-relaxed buffers
Applied physics letters, 2012-10, Vol.101 (15)
2012
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  • BibTeX
Numbers of donors and acceptors from transport measurementsin graphene
Applied physics letters, 2007-09, Vol.91 (10), p.102102-102102-3
2007
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  • BibTeX
Transient carrier transfer in tunnel injection structures
Applied physics letters, 2008-07, Vol.93 (3), p.031105-031105-3
2008
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Features of two-dimensional to three-dimensional growth mode transition of Ge in SiGe/Si(001) heterostructures with strained layers
Applied physics letters, 2009-10, Vol.95 (15), p.151902-151902-3
2009
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Open Access
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  • BibTeX
p -type conductivity in cubic (Ga,Mn)N thin films
Applied physics letters, 2005-04, Vol.86 (15), p.152114-152114-3
2005
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Low gap amorphous GaN1−xAsx alloys grown on glass substrate
Applied physics letters, 2010-09, Vol.97 (10)
2010
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GaN1−xBix: Extremely mismatched semiconductor alloys
Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (14), p.141919
2010
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Gigantic uphill diffusion during self-assembled growth of Ge quantum dots on strained SiGe sublayers
Applied physics letters, 2010-04, Vol.96 (14), p.141909-141909-3
2010
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