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Collector-pedestal InGaAs/InP DHBTs fabricated in a single-growth, triple-implant process
IEEE electron device letters, 2006-05, Vol.27 (5), p.313-316
2006
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A new SONOS memory using source-side injection for programming
IEEE electron device letters, 1998-07, Vol.19 (7), p.253-255
1998
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InGaAs/InP DHBTs with 120-nm collector having simultaneously high f/sub /spl tau//, fmax/spl ges/450 GHz
IEEE electron device letters, 2005-08, Vol.26 (8), p.530-532
2005
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InGaAs/InP DHBTs with 120-nm collector having simultaneously high f/sub /spl tau//, f/sub max//spl ges/450 GHz
IEEE electron device letters, 2005-08, Vol.26 (8), p.530-532
2005
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W-band low-noise InAlAs/InGaAs lattice-matched HEMTs
IEEE electron device letters, 1990-01, Vol.11 (1), p.59-62
1990
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Very high power-added efficiency and low-noise 0.15- mu m gate-length pseudomorphic HEMTs
IEEE electron device letters, 1989-12, Vol.10 (12), p.580-582
1989
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Low-frequency noise behavior of 0.15- mu m gate-length lattice-matched and lattice-mismatched MODFETs on InP substrates
IEEE electron device letters, 1991-08, Vol.12 (8), p.410-412
1991
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Current gain and transit-time effects in HBTs with graded emitter and base regions
IEEE electron device letters, 1990-11, Vol.11 (11), p.508-510
1990
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A 0.25- mu m gate-length pseudomorphic HFET with 32-mW output power at 94 GHz
IEEE electron device letters, 1989-10, Vol.10 (10), p.437-439
1989
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