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An InGaAsP/InP Twin-Guide Laser Diode with Rectangular Ring Cavity
Japanese Journal of Applied Physics, 2002-04, Vol.41 (Part 1, No. 4B), p.2556-2558
2002
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A new GaAs field effect transistor (FET) with DIpole barrier (DIB)
Japanese Journal of Applied Physics, 1994-01, Vol.33 (1B), p.775-778
1994
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Process Proximity Correction by Neural Networks
Japanese Journal of Applied Physics, 2003, Vol.42 (Part 1, No. 6B), p.3908-3912, Article 3908
2003
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Robust Metal/AHO/HSG-Cylinder Capacitor Technology Using Diagonal Cell Array Scheme and Double Mold Oxide
Japanese Journal of Applied Physics, 2005-04, Vol.44 (4S), p.2191
2005
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POST-ANNEALING EFFECTS ON FIXED CHARGE AND SLOW/FAST INTERFACE STATES OF TiN/Al2O3/p-SI METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CAPACITOR
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 2003, Vol.42 (3), p.1222-1226
2003
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EMISSION BAND SHIFT OF THE CATHODOLUMINESCENCE OF Y2SiO5:Ce PHOSPHOR AFFECTED BY ITS ACTIVATOR CONCENTRATION
Jpn.J.Appl.Phys ,Part 1. Vol. 40, no. 7, pp. 4715-4719. 2001, 2001, Vol.40 (7), p.4715-4719
2001
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Longer-Terminal-Chain-Sensitive Phase Structures in Mixtures and Nonsymmetric Molecules of Bent-Core Mesogens
Japanese Journal of Applied Physics, 2006-03, Vol.45 (3L), p.L329
2006
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Low-Temperature Growth of Carbon Nanotube by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition using Nickel Catalyst
Japanese Journal of Applied Physics, 2003, Vol.42 (Part 1, No. 6A), p.3578-3581
2003
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Cantilever Type Lead Zirconate Titanate Microactuator Utilizing Ruthenium Oxide
Japanese Journal of Applied Physics, 2000-05, Vol.39 (Part 1, No. 5A), p.2859-2862
2000
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A New Conductivity Modulated LDMOSFET Employing Buried P Region and P + Drain
Japanese Journal of Applied Physics, 2004-10, Vol.43 (10), p.6917-6919
2004
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Effects of post-annealing on the conduction properties of Pt/(Ba, Sr)TiO3/Pt capacitors for dynamic random access memory applications
Japanese journal of applied physics, 1997, Vol.36 (7A), p.4382-4385
1997
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A New Voltage between Collector and Emitter (V CE ) Sensing Scheme for Short-Circuit Withstanding Capability of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Japanese Journal of Applied Physics, 2004-04, Vol.43 (4S), p.1677
2004
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Extinction Ratio Improvement and Negative Bit-Error-Rate Penalty in Mach–Zehnder Interferometric Wavelength Converter for Optical 2R Regeneration
Japanese Journal of Applied Physics, 2005-11, Vol.44 (11R), p.8010
2005
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CATHODOLUMINESCENCE CHANGE OF YNbO4:Bi PHOSPHOR AFTER ACID TREATMENT
Jpn.J.Appl.Phys ,Part 1. Vol. 40, no. 6A, pp. 4060-4063. 2001, 2001, Vol.40 (6A), p.4060-4063
2001
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Enhancement of the Ferromagnetic Transition Temperature in Self-Assembled (Ga 1-x Mn x )As Quantum Wires
Japanese Journal of Applied Physics, 2004-07, Vol.43 (7B), p.L963
2004
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Second Breakdown of 18V Grounded Gate NMOS induced by the Kirk Effect under Electrostatic Discharge
Japanese Journal of Applied Physics, 2003, Vol.42 (Part 1, No. 9A), p.5516-5520
2003
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Surface Characteristics of Indium-Tin Oxide Cleaned by Remote Plasma
Japanese Journal of Applied Physics, 2005-02, Vol.44 (2R), p.1041
2005
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Analysis of Axis-Encircling Electron Beam Using a Single-Cusp Magnetic Field
Japanese Journal of Applied Physics, 2002, Vol.41 (Part 1, No. 8), p.5404-5407
2002
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Structure of the Sb/Si(112) Surface Studied by Low Energy Electron Diffraction
Japanese Journal of Applied Physics, 2004-04, Vol.43 (4R), p.1312
2004
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The Effect of the Interface Impurity in Fabrication of Spin Dependent Tunnel Junction
Japanese Journal of Applied Physics, 2001, Vol.40 (11R), p.6360-6364
2001
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New Excimer Laser Recrystallization of Poly-Si for Effective Grain Growth and Grain Boundary Arrangement
Japanese Journal of Applied Physics, 2000, Vol.39 (Part 1, No. 4B), p.2012-2014
2000
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Rubbed Polyimide Layers Studied by Rotating Sample and Compensator Spectroscopic Ellipsometry
Japanese Journal of Applied Physics, 2005-10, Vol.44 (10R), p.7667
2005
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Characteristics of Indium Bump for Flip-Chip Bonding Used in Polymeric-Waveguide-Integrated Optical Interconnection Systems
Japanese Journal of Applied Physics, 2004-08, Vol.43 (8S), p.5922
2004
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Excimer-Laser-Induced In-Situ Fluorine Passivation Effects on Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors
Japanese Journal of Applied Physics, 1999-04, Vol.38 (Part 1, No. 4B), p.2247-2250
1999
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Er3+ PHOTOLUMINESCENCE FROM Er-DOPED SILICON-RICH SILICON OXIDE FILMS DEPOSITED BY LASER ABLATION OF A Si:Er TARGET IN AN OXYGEN ATMOSPHERE
Jpn.J.Appl.Phys ,Part 1. Vol. 43, no. 4A, pp. 1541-1544. 2004, 2004-01, Vol.43 (4A), p.1541-1544
2004
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