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Effects of MBE growth on the optical properties of AlGaN quantum wells
MRS proceedings, 2011, Vol.1289 (1), Article mrsf10-1289-h05-12
2011
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Short period p-type AlN/AlGaN superlattices for deep UV light emitters
MRS proceedings, 2009, Vol.1202 (1), Article 1202-I10-03
2009
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Mechanism of Metalorganic MBE Growth of High Quality AlN on Si (111)
MRS proceedings, 2004, Vol.831, Article E3.35
2004
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Preparation of Optoelectronic Devices Based on AlN/AlGaN Superlattices
MRS proceedings, 2002, Vol.744, Article M10.1
2002
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Optical Emission Related to Holes Confined in p-Type δ-Doped Layers in GaAs
MRS proceedings, 1999, Vol.588, Article 123
1999
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Gas source molecular beam epitaxy of high quality AlGaN on Si and sapphire
MRS proceedings, 2000, Vol.639, Article G11.37
2000
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Mechanism for Radiative Recombination in In0.15Ga0.85N/GaN Multiple Quantum Well Structures
MRS proceedings, 1998, Vol.537
1998
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Mechanism for Radiative Recombination in In 0.15 Ga 0.85 N/GaN Multiple Quantum Well Structures
MRS proceedings, 1998, Vol.537, Article G2.5
1998
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High Quality AlN and GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia
MRS proceedings, 1999, Vol.595, Article F99W8.3
1999
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Mechanical Properties of Nanocomposite Coatings Fabricated by Sputttering
MRS proceedings, 1990, Vol.188, Article 331
1990
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Optical, Chemical and Electrical Characterization of Ion-Etched Gallium Arsenide Surfaces
MRS proceedings, 1987, Vol.93, Article 381
1987
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