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GaAs1−xBix/GaNyAs1−y type-II quantum wells: novel strain-balanced heterostructures for GaAs-based near- and mid-infrared photonics

Scientific reports, 2017-04, Vol.7 (1), p.46371-46371, Article 46371

2017

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Effect of Single and Combined Monochromatic Light on the Human Pupillary Light Response

Frontiers in neurology, 2018-11, Vol.9, p.1019-1019

2018

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Transport of marine tracer phage particles in soil

The Science of the total environment, 2022-03, Vol.814, p.152704-152704, Article 152704

2022

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Rubella virus infection in endothelial cells reduces angiogenesis via interferon beta-induced CXCL10

iScience, 2023-04, Vol.26 (4), p.106352-106352, Article 106352

2023

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Influence of de-tuning and non-radiative recombination on the temperature dependence of 1.3 μ m GaAsSb/GaAs vertical cavity surface emitting lasers

Applied physics letters, 2011-08, Vol.99 (7), p.071110-071110-3

2011

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GaAs 1-x Bi x /GaN y As 1-y type-II quantum wells: novel strain-balanced heterostructures for GaAs-based near- and mid-infrared photonics

Scientific reports, 2017-04, Vol.7, p.46371

2017

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Temperature and pressure dependence of carrier recombination processes in GaAsSb/GaAs quantum well lasers

Physica Status Solidi (b), 2007-01, Vol.244 (1), p.197-202

2007

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Impact of alloy disorder on the band structure of compressively strained GaBi x As 1 − x

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2013-03, Vol.87 (11), Article 115104

2013

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The effect of hole leakage and Auger recombination on the temperature sensitivity of GaInAsSb/GaSb mid-infrared lasers

2013 Conference on Lasers & Electro-Optics Europe & International Quantum Electronics Conference CLEO EUROPE/IQEC, 2013, p.1-1

2013

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Role of growth temperature on the physical characteristics of GaAsSb/GaAs QW lasers

2010 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society, 2010, p.59-60

2010

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Gesucht: Ein neuer Name, der nicht nur Jahre, sondern Jahrzehnte überdauert: Ein Querschnitt aus Lesermeinungen zur anstehenden Umbenennung der Physikalischen Blätter

Physikalische blätter, 2000-10, Vol.56 (10), p.3-3

2000

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Bismuth-containing III–V semiconductors: Epitaxial growth and physical properties

Molecular Beam Epitaxy, 2012

Henini, Mohamed

2012

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Bismuth-containing III–V semiconductors: Epitaxial growth and physical properties

Chapter 7 - Bismuth-containing III–V semiconductors: Epitaxial growth and physical properties

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