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Electronic Raman scattering as an ultra-sensitive probe of strain effects in semiconductors
Nature communications, 2015-05, Vol.6 (1), p.7136-7136, Article 7136
2015
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Amber-green light-emitting diodes using order-disorder AlxIn1-xP heterostructures
Journal of applied physics, 2013-01, Vol.114 (7)
2013
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Precise Determination of the Direct--Indirect Band Gap Energy Crossover Composition in AlxGa1-xAs
Applied physics express, 2013-07, Vol.6 (7), p.071201-071201-4
2013
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Evidence of two disorder scales in Ga(AsBi)
Physica Status Solidi (b), 2011-04, Vol.248 (4), p.851-854
2011
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Effects of in-situ UV irradiation on the uniformity and optical properties of GaAsBi epi-layers grown by MBE
Journal of crystal growth, 2018-02, Vol.484, p.7-11
2018
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Effects of incident UV light on the surface morphology of MBE grown GaAs
Journal of crystal growth, 2015-03, Vol.413, p.76-80
2015
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Theory‐Guided Synthesis of a Metastable Lead‐Free Piezoelectric Polymorph
Advanced materials (Weinheim), 2018-06, Vol.30 (25), p.e1800559-n/a
2018
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Spectrally resolved localized states in GaAs1−xBix
Japanese Journal of Applied Physics, 2017-02, Vol.56 (3)
2017
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Bismuth-induced Raman modes in GaP1−xBix
Japanese Journal of Applied Physics, 2016-10, Vol.55 (10)
2016
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Mysterious absence of pair luminescence in gallium phosphide bismide
Applied physics express, 2015-06, Vol.8 (6), p.61202
2015
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Bismuth interstitial impurities and the optical properties of GaP1−x−yBixNy
Japanese Journal of Applied Physics, 2017-10, Vol.56 (11)
2017
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Luminescence dynamics in Ga(AsBi)
Applied physics letters, 2011-04, Vol.98 (16), p.161104-161104-3
2011
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Quaternary bismide alloy ByGa1−yAs1−xBix lattice matched to GaAs
Journal of crystal growth, 2012-07, Vol.351 (1), p.37-40
2012
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Effects of in-situ UV irradiation on the uniformity and optical properties of GaAsBi epi-layers grown by MBE
Journal of crystal growth, 2017-12, Vol.484 (C)
2017
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Insight into the epitaxial growth of high optical quality GaAs1–xBix
Journal of applied physics, 2015-12, Vol.118 (23)
2015
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Effects of incident UV light on the surface morphology of MBE grown GaAs
Journal of crystal growth, 2015-03, Vol.413 (C)
2015
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Growth of BGaAs by molecular-beam epitaxy and the effects of a bismuth surfactant
Journal of crystal growth, 2012-07, Vol.351 (1), p.122-125
2012
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Theory-Guided Synthesis of a Metastable Lead-Free Piezoelectric Polymorph
Advanced materials (Weinheim), 2018-05, Vol.30 (25)
2018
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Bismuth interstitial impurities and the optical properties of GaP^sub 1−x−y^Bi^sub x^N^sub y
Japanese Journal of Applied Physics, 2017-11, Vol.56 (11), p.111201
2017
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Bismuth interstitial impurities and the optical properties of GaP 1− x − y Bi x N y
Japanese Journal of Applied Physics, 2017-11, Vol.56 (11), p.111201
2017
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Spectrally resolved localized states in GaAs sub(1-x) Bi sub(x)
Japanese Journal of Applied Physics, 2017-03, Vol.56 (3), p.035801-035801
2017
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Spectrally resolved localized states in GaAs 1− x Bi x
Japanese Journal of Applied Physics, 2017-03, Vol.56 (3), p.35801
2017
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Bismuth-induced Raman modes in GaP 1− x Bi x
Japanese Journal of Applied Physics, 2016-10, Vol.55 (10), p.108002
2016
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Quaternary bismide alloy lattice matched to GaAs
Journal of crystal growth, 2012-07, Vol.351 (1), p.37-40
2012
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Quaternary bismide alloy B y Ga 1 − y As 1 − x Bi x lattice matched to GaAs
Journal of crystal growth, 2012-07, Vol.351 (1), p.37-40
2012
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