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Preparation of A New Carbon Nano-particle by Arc Discharge
MRS proceedings, 2004, Vol.822, Article S6.12
2004
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A New Approach for Determining Epilayer Strain Relaxation and Composition Through High Resolution X-Ray Diffraction
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.257-262, Article 257
1995
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Simulation of the Growth of Lattice Mismatched Semiconductors
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.9-14, Article 9
1995
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Layer Tilt and Relaxation in InGaAs/GaAs Graded Buffer Layers
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.73-78, Article 73
1995
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Open Access
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Triangular Step Instability and 2D/3D Transition During the Growth of Strained Ge Films on Si(100)
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.33-38, Article 33
1995
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Asymmetric Mosaic Spread During Relaxation in SiGe/ Si Strained Layer Superlattices Grown on Miscut Substrates
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.39-44, Article 39
1995
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The Growth and Optimization of InPSb/InGaAs/InAsSb Strained-Layer Superlattice Emitters by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.283-288, Article 283
1995
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Quantitative Experimental Determination of The Effect of Dislocation - Dislocation Interactions on Strain Relaxation in Lattice Mismatched Heterostructures
MRS proceedings, 1998, Vol.535, Article 15
1998
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Strained Layer Epitaxy on Rough Si Surfaces
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.15-20, Article 15
1995
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Influence of Hydrogen On The Solid Phase Epitaxial Regrowth of Strained Layer Silicon Germanium Alloys
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.461-466, Article 461
1995
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Gas Source Silicon Molecular Beam Epitaxy
MRS proceedings, 1991, Vol.220, Article 545
1991
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Surface Segregation of Boron During Si-MBE Growth
MRS proceedings, 1991, Vol.220, Article 109
1991
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Deep Photoluminescence Bands in Mbe Grown Si and Sige
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.405-410, Article 405
1995
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Defect-Free Band-Edge Photoluminescence in SiGeC Strained Layers Grown by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.441-446, Article 441
1995
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Correlation Between Photoluminescence Spectral Features and Crystal Growth Temperature for Sige Single Quantum Wells
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.399-404, Article 399
1995
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Fabrication of CoSi2 Gate Si Permeable Base Transistor Using Si-MBE
MRS proceedings, 1991, Vol.220
1991
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How Surface Roughening and Dislocation Formation Mutually Influence Each Other During Heteroepitaxial Growth
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.357-362, Article 357
1995
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Hall Mobility in Strained SiGe p-Mosfets
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.333-338, Article 333
1995
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Defect Centers Formed During Wet Oxidation of Si-Ge/Si Heterostructures
MRS proceedings, 1991, Vol.220, Article 199
1991
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Wet Oxidation of Epitaxial Ge.36Si.64 on (100)Si
MRS proceedings, 1991, Vol.220
1991
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Dynamics of Surface Segregation During InGaAs Mbe
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.505-510, Article 505
1995
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An Investigation of Boron Incorporation in SiGe MBE
MRS proceedings, 1991, Vol.220, Article 79
1991
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The “Computer-Aided Epitaxy” Si:MBE-Control System
MRS proceedings, 1991, Vol.220, Article 55
1991
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Local Measurements of Surfaces Stress
MRS proceedings, 1995, Vol.379, p.263-268, Article 263
1995
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Surface Accumulation of Boron During Si Molecular Beam Epitaxy
MRS proceedings, 1991, Vol.220, Article 103
1991
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