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  • BibTeX
Avalanche multiplication due to impact ionization in quantum-well infrared photodetectors: A quantitative approach
Applied physics letters, 2003-04, Vol.82 (17), p.2907-2909
2003
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  • BibTeX
Acoustically driven Dirac electrons in monolayer graphene
Applied physics letters, 2020-03, Vol.116 (10)
2020
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The impact of interfacial Si contamination on GaN-on-GaN regrowth for high power vertical devices
Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (22)
2021
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Effects of electron confinement on the acoustoelectric current in suspended quantum point contacts
Applied physics letters, 2017-05, Vol.110 (22)
2017
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Phenomenological theory of bistability in polariton diodes
Applied physics letters, 2010-08, Vol.97 (9), p.091107-091107-3
2010
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Piezotronic effect in a normally off p-GaN/AlGaN/GaN HEMT toward highly sensitive pressure sensor
Applied physics letters, 2021-06, Vol.118 (24)
2021
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GaN/AlGaN 2DEGs in the quantum regime: Magneto-transport and photoluminescence to 60 tesla
Applied physics letters, 2020-12, Vol.117 (26)
2020
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Toward quantum efficiency enhancement of kesterite nanostructured absorber: A prospective of carrier quantization effect
Applied physics letters, 2020-09, Vol.117 (13)
2020
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Thermal resistance optimization of GaN/substrate stacks considering thermal boundary resistance and temperature-dependent thermal conductivity
Applied physics letters, 2016-10, Vol.109 (15)
2016
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Polarization modulation of 2DEG toward plasma-damage-free GaN HEMT isolation
Applied physics letters, 2022-07, Vol.121 (1)
2022
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Surface acoustic wave regulated single photon emission from a coupled quantum dot–nanocavity system
Applied physics letters, 2016-07, Vol.109 (3)
2016
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AlGaN/GaN MISHEMTs with epitaxially grown GdScO3 as high-κ dielectric
Applied physics letters, 2021-02, Vol.118 (5)
2021
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  • BibTeX
N2O plasma treatment effect on reliability of p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs
Applied physics letters, 2022-03, Vol.120 (13)
2022
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Surface states in AlGaN/GaN high electron mobility transistors: Quantitative energetic profiles and dynamics of the surface Fermi level
Applied physics letters, 2019-07, Vol.115 (2)
2019
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Strong interlayer excitons in PtSe2/ZrS2 van der Waals heterobilayer
Applied physics letters, 2021-03, Vol.118 (9)
2021
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  • BibTeX
Room temperature upconversion electroluminescence from a mid-infrared In(AsN) tunneling diode
Applied physics letters, 2020-04, Vol.116 (14)
2020
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  • BibTeX
Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition
Applied physics letters, 2017-06, Vol.110 (24)
2017
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  • BibTeX
Multiple exceptional points and phase transitions of a one-dimensional P T-symmetric Lieb photonic lattice
Applied physics letters, 2023-10, Vol.123 (16)
2023
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  • BibTeX
A perspective on the electro-thermal co-design of ultra-wide bandgap lateral devices
Applied physics letters, 2021-10, Vol.119 (17)
2021
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  • BibTeX
Tunable ultraviolet vertically-emitting organic laser
Applied physics letters, 2011-03, Vol.98 (13), p.131102-131102-3
2011
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  • BibTeX
A comprehensive analytical model for threshold voltage calculation in GaN based metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors
Applied physics letters, 2012-03, Vol.100 (11), p.113509-113509-4
2012
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  • BibTeX
Capacitance pressure sensor based on GaN high-electron-mobility transistor-on-Si membrane
Applied physics letters, 2005-06, Vol.86 (25), p.253502-253502-3
2005
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  • BibTeX
Exciton confinement and trapping dynamics in double-graded-bandgap quantum nanowires
Applied physics letters, 2012-05, Vol.100 (21), p.211907-211907-4
2012
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  • BibTeX
Cascaded exciton emission of an individual strain-induced quantum dot
Applied physics letters, 2009-08, Vol.95 (8), p.083122-083122-3
2009
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  • BibTeX
Studies of InGaN∕GaN multiquantum-well green-light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
Applied physics letters, 2004-07, Vol.85 (3), p.401-403
2004
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Zeitschrift / SerieApplied Physics Letters
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