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Tungsten disulfide thin films electrodeposition from a single source precursor
Chemical communications (Cambridge, England), 2021-10, Vol.57 (79), p.1194-1197
2021
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Microbalance chemical sensor based on thin-film bulk acousticwave resonators
Applied physics letters, 2005-10, Vol.87 (17), p.173504-173504-3
2005
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In situ reaction mechanism studies of plasma-assisted atomic layer deposition of Al 2 O 3
Applied physics letters, 2006-09, Vol.89 (13), p.131505-131505-3
2006
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Combination of characterization techniques for atomic layer deposition MoO 3 coatings: From the amorphous to the orthorhombic α-MoO 3 crystalline phase
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2011-09, Vol.30 (1), p.01A107-01A107-6
2011
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Atomic layer deposition of Cu 2 S for future application in photovoltaics
Applied physics letters, 2009-03, Vol.94 (12), p.123107-123107-3
2009
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Online measurement of the optical anisotropy during the growthof crystalline organic films
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (12), p.121913-121913-3
2006
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Pseudomorphic growth of organic semiconductor thin films drivenby incommensurate epitaxy
Applied physics letters, 2009-02, Vol.94 (7), p.073307-073307-3
2009
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Feature-scale model of Si etching in S F 6 plasma and comparisonwith experiments
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2004-12, Vol.23 (1), p.99-113
2004
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Adsorption-controlled molecular-beam epitaxial growth of Bi Fe O 3
Applied physics letters, 2007-08, Vol.91 (7), p.071922-071922-3
2007
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Submonolayer barium passivation study for germanium(100)/molecular beam epitaxial Al 2 O 3
Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (21), p.212903-212903-3
2011
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Determination of band gap energy ( E g ) of Cu 2 ZnSnSe 4 thin films: On the discrepancies of reported band gap values
Applied physics letters, 2010-07, Vol.97 (2), p.021905-021905-3
2010
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Detection of adsorbed explosive molecules using thermal responseof suspended microfabricated bridges
Applied physics letters, 2008-10, Vol.93 (15), p.154102-154102-3
2008
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Self-organization of nanoneedles in Fe ∕ Ga As (001) epitaxial thin film
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (10), p.103104-103104-3
2006
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Enhancement of upconversion luminescence of Er doped Al 2 O 3 filmsby Ag island films
Applied physics letters, 2008-04, Vol.92 (13), p.132105-132105-3
2008
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Interface electronic structure of the organic light-emitting devices: Photoemission and x-ray absorption studies of Al ∕ K F ∕ Al q 3 interface
Applied physics letters, 2007-12, Vol.91 (26), p.261902-261902-3
2007
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Diffusion and interaction studied nondestructively and in real-timewith depth-resolved low energy ion spectroscopy
Applied physics letters, 2009-02, Vol.94 (6), p.063107-063107-3
2009
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Determination of interlayer composition at buried interfacesusing soft x-ray resonant reflectivity
Applied physics letters, 2006-11, Vol.89 (18), p.181920-181920-3
2006
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Field-effect transistors with layer-by-layer self-assembled nanoparticlethin films as channel and gate dielectric
Applied physics letters, 2005-10, Vol.87 (18), p.183105-183105-3
2005
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Robust functionalization of amorphous cadmium sulfide filmsusing z -lift amplitude modulated atomic force microscopy-assistedelectrostatic nanolithography
Applied physics letters, 2007-05, Vol.90 (21), p.213111-213111-3
2007
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In situ measurement of the ion incidence angle dependenceof the ion-enhanced etching yield in plasma reactors
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2006-10, Vol.24 (6), p.2176-2186
2006
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Graphitic carbon growth on Si(111) using solid source molecularbeam epitaxy
Applied physics letters, 2009-10, Vol.95 (13), p.133114-133114-3
2009
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Influence of the substrate temperature on the Curie temperatureand charge carrier density of epitaxial Gd-doped EuO films
Applied physics letters, 2011-03, Vol.98 (10), p.102110-102110-3
2011
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How the surface energy of ultra-thin CuF 2 film as anode buffer layer affect the organic light-emitting devices?
Applied physics letters, 2011-06, Vol.98 (26), p.263301-263301-3
2011
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Quintuple-layer epitaxy of thin films of topological insulator Bi 2 Se 3
Applied physics letters, 2009-08, Vol.95 (5), p.053114-053114-3
2009
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Thermal stability of TiN/HfSiON gate stack structures studiedby synchrotron-radiation photoemission spectroscopy
Applied physics letters, 2010-12, Vol.97 (26), p.262903-262903-3
2010
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