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Performance of Parallel Connected SiC MOSFETs under Short Circuits Conditions
Energies (Basel), 2021-10, Vol.14 (20), p.6834
2021
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Temperature and Switching Rate Dependence of Crosstalk in Si-IGBT and SiC Power Modules
IEEE transactions on industrial electronics (1982), 2016-02, Vol.63 (2), p.849-863
2016
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Crosstalk Induced Shoot-Through in BTI-Stressed Symmetrical & Asymmetrical Double-Trench SiC Power MOSFETs
IEEE open journal of the Industrial Electronics Society, 2022, Vol.3, p.188-202
2022
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Impact of Temperature and Switching Rate on Properties of Crosstalk on Symmetrical & Asymmetrical Double-trench SiC Power MOSFET
IECON 2021 – 47th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, 2021, p.1-6
2021
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Cryogenic Characterization of Commercial SiC Power MOSFETs
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.777-780
2015
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On the Repeatability and Reliability of Threshold Voltage Measurements during Gate Bias Stresses in Wide Bandgap Power Devices
2022 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe (WiPDA Europe), 2022, p.1-6
2022
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Impact of Electrothermal Bias Temperature Instability Stress on Threshold Voltage Drift of GaN Cascode Power Modules
2022 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe (WiPDA Europe), 2022, p.1-6
2022
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Impact of threshold voltage shifting on junction temperature sensing in GaN HEMTs
2022 24th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'22 ECCE Europe), 2022, p.1-P.9
2022
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Unipolar and Bipolar Pulsed Gate Stresses and Threshold Voltage Shifts in GaN e-HEMTs
2022 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2022, p.1-7
2022
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Investigation of parasitic turn-ON in silicon IGBT and Silicon Carbide MOSFET devices: A technology evaluation
2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), 2015, p.1-8
2015
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