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Electrothermal Power Cycling to Failure of Discrete Planar, Symmetrical Double-Trench & Asymmetrical Trench SiC MOSFETs
IEEE open journal of power electronics, 2023, Vol.4, p.1-13
2023
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Temperature and Switching Rate Dependence of Crosstalk in Si-IGBT and SiC Power Modules
IEEE transactions on industrial electronics (1982), 2016-02, Vol.63 (2), p.849-863
2016
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Degradation Analysis of Planar, Symmetrical and Asymmetrical Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Short Circuit Impulses
IEEE transactions on power electronics, 2023-09, Vol.38 (9), p.10933-10946
2023
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Comparison of Short Circuit Failure Modes in SiC Planar MOSFETs, SiC Trench MOSFETs and SiC Cascode JFETs
2021 IEEE 8th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2021, p.384-388
2021
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Investigation of Repetitive Short Circuit Stress as a Degradation Metric in Symmetrical and Asymmetrical Double-Trench SiC Power MOSFETs
2022 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe (WiPDA Europe), 2022, p.1-6
2022
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Analysis of 1st & 3rd Quadrant Electrothermal Robustness of Symmetrical and Asymmetrical Double- Trench SiC Power MOSFETs Under UIS
2022 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Europe (WiPDA Europe), 2022, p.1-6
2022
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Measurements and Review of Failure Mechanisms and Reliability Constraints of 4H-SiC Power MOSFETs Under Short Circuit Events
IEEE transactions on device and materials reliability, 2023-12, Vol.23 (4), p.544-563
2023
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Self-Powering High Frequency Modulated SiC Power MOSFET Isolated Gate Driver
IEEE transactions on industry applications, 2019-07, Vol.55 (4), p.3967-3977
2019
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Simulation Study of 4H-SiC High-k Pillar MOSFET With Integrated Schottky Barrier Diode
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2021, Vol.9, p.951-957
2021
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