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Mercury vacancies as divalent acceptors in HgyTe1 – y/CdxHg1 – xTe structures with quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1662-1668
2016
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On the crystal structure and thermoelectric properties of thin Si1–xMnx films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1453-1457
2016
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Giant negative photoconductivity of PbSnTe:In films with wavelength cutoff near 30 μm
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1684-1690
2016
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Numerical simulation of the properties of solar cells based on GaPNAs/Si heterostructures and GaN nanowires
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1521-1525
2016
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Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1532-1538
2016
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Modulation of intersubband light absorption and interband photoluminescence in double GaAs/AlGaAs quantum wells under strong lateral electric fields
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1425-1430
2016
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Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1421-1424
2016
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Terahertz injection lasers based on PbSnSe alloy with an emission wavelength up to 46.5 μm
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1669-1672
2016
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Electroluminescence of structures with self-assembled Ge(Si) nanoislands confined between strained Si layers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1657-1661
2016
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  • BibTeX
On a new method of heterojunction formation in III–V nanowires
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1566-1568
2016
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Anisotropy of the magnetocapacitance of structures based on PbSnTe:In/BaF2 films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1479-1487
2016
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  • BibTeX
Germanium laser with a hybrid surface plasmon mode
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1449-1452
2016
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  • BibTeX
Investigation of the thermal stability of metastable GeSn epitaxial layers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1548-1553
2016
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  • BibTeX
Long-wavelength stimulated emission and carrier lifetimes in HgCdTe-based waveguide structures with quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1651-1656
2016
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  • BibTeX
Study of the structures of cleaved cross sections by Raman spectroscopy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1539-1542
2016
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  • BibTeX
Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1584-1588
2016
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  • BibTeX
Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1561-1565
2016
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  • BibTeX
Optical spectroscopy of a resonant Bragg structure with InGaN/GaN quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1431-1434
2016
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  • BibTeX
Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1569-1573
2016
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  • BibTeX
Formation of singular (001) terraces on the surface of single-crystal HPHT diamond substrates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1622-1625
2016
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  • BibTeX
Asymmetric devices based on carbon nanotubes for terahertz-range radiation detection
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1600-1603
2016
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  • BibTeX
Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1435-1438
2016
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Effect of a low-temperature-grown GaAs layer on InAs quantum-dot photoluminescence
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1499-1505
2016
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Edge and defect luminescence of powerful ultraviolet InGaN/GaN light-emitting diodes
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1493-1498
2016
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  • BibTeX
Polariton condensate coherence in planar microcavities in a magnetic field
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-12, Vol.50 (12), p.1609-1613
2016
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