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Octave-spanning coherent supercontinuum generation in an AlGaAs-on-insulator waveguide

Optics letters, 2020-02, Vol.45 (3), p.603-606

2020

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Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers

Nature photonics, 2013-12, Vol.7 (12), p.963-968

2013

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Recent Progress and Future Prospects of 2D‐Based Photodetectors

Advanced materials (Weinheim), 2018-12, Vol.30 (51), p.e1801164-n/a

2018

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High Efficiency Inverted GaAs and GaInP/GaAs Solar Cells With Strain‐Balanced GaInAs/GaAsP Quantum Wells

Advanced energy materials, 2021-01, Vol.11 (4), p.n/a

2021

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AlGaAs Photovoltaics for Indoor Energy Harvesting in mm-Scale Wireless Sensor Nodes

IEEE transactions on electron devices, 2015-07, Vol.62 (7), p.2170-2175

2015

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IEEE_Xplore

III/V nano ridge structures for optical applications on patterned 300 mm silicon substrate

Applied physics letters, 2016-08, Vol.109 (9)

2016

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Electric Field-Enhanced Generation Current in Proton Irradiated InGaAs Photodiodes

IEEE transactions on nuclear science, 2023-04, Vol.70 (4), p.523-531

2023

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IEEE_Xplore

Comparison of quantum well structures for room temperature continuous wave 980 nm lasers grown on (001) Si by MOCVD

Applied physics letters, 2023-12, Vol.123 (26)

2023

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Twisted system makes nanolasers shine together

Nature (London), 2023-12, Vol.624 (7991), p.260-261

2023

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Theoretical Achievement of THz Gain-Bandwidth Product of Wafer-Bonded InGaAs/Si Avalanche Photodiodes With Poly-Si Bonding Layer

IEEE transactions on electron devices, 2022-03, Vol.69 (3), p.1123-1128

2022

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IEEE_Xplore

Interface dynamics and crystal phase switching in GaAs nanowires

Nature (London), 2016-03, Vol.531 (7594), p.317-322

2016

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Optically thick GaInAs/GaAsP strain-balanced quantum-well tandem solar cells with 29.2% efficiency under the AM0 space spectrum

Journal of applied physics, 2022-11, Vol.132 (18)

2022

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GaAsP solar cells on GaP/Si with low threading dislocation density

Applied physics letters, 2016-07, Vol.109 (3)

2016

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Possibility of intracavity terahertz difference frequency generation in a two-frequency GaAsP/AlGaAs/GaAs quantum well laser

Applied optics (2004), 2021-05, Vol.60 (15), p.4404-4409

2021

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Pulse Compression Photoconductive Switching Using Negative Differential Mobility

IEEE transactions on electron devices, 2022-02, Vol.69 (2), p.590-596

2022

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Single-photon emission at 1.55 μm from MOVPE-grown InAs quantum dots on InGaAs/GaAs metamorphic buffers

Applied physics letters, 2017-07, Vol.111 (3)

2017

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An 850 nm InGaAs Modified Uni-Traveling-Carrier Photodiode Enhanced by Distributed Bragg Reflector

IEEE photonics technology letters, 2024-05, p.1-1

2024

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IEEE_Xplore

Analysis of Single Event Effects in Capacitor-Less 1T-DRAM Based on an InGaAs Transistor

IEEE transactions on electron devices, 2021-04, Vol.68 (4), p.1604-1609

2021

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IEEE_Xplore

Radiative decay rate of excitons in square quantum wells: Microscopic modeling and experiment

Journal of applied physics, 2016-05, Vol.119 (18)

2016

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GaAs as a Bright Cryogenic Scintillator for the Detection of Low-Energy Electron Recoils From MeV/c2 Dark Matter

IEEE transactions on nuclear science, 2019-11, Vol.66 (11), p.2333-2337

2019

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The improvement properties of InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells using the GaAs insertion layer

Thin solid films, 2022-08, Vol.756, p.139363, Article 139363

2022

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High-efficiency inverted metamorphic 1.7/1.1 eV GaInAsP/GaInAs dual-junction solar cells

Applied physics letters, 2018-01, Vol.112 (5)

2018

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Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grown by MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate

Applied physics letters, 2016-08, Vol.109 (6)

2016

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InAs QDs on (111)-faceted Si (001) hollow substrates with strong emission at 1300 nm and 1550 nm

Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (5)

2018

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Visible Quintuple Narrowband Metasurface Absorber Based on Gallium Arsenide Square Cavity for Multispectral Sensing Application

IEEE sensors journal, 2024-06, Vol.24 (12), p.19229-19236

2024

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