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High Mobility and High N Concentration of GaNxAs1-x Thin Films Grown by MOCVD
材料科学与工程：中英文A版, 2011, Vol.1 (2), p.204-209
2011
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High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Misfit Dislocations Array
Journal of materials science & technology, 2012-02, Vol.28 (2), p.132-136
2012
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High Current Operation of a Semi-insulating Gallium Arsenide Photoconductive Semiconductor Switch Triggering a Spark Gap
Chinese physics letters, 2010-02, Vol.27 (2), p.120-122, Article 024212
2010
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Electrical Field Distribution in Terahertz SI-GaAs Photoconductive Antennas
Chinese physics letters, 2010-08, Vol.27 (8), p.169-171
2010
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Experimental Research on Inhibition of Surface Flashover Based on High Power Gallium Arsenide Photoconductive Switches Triggered by Laser
Plasma science & technology, 2011-12, Vol.13 (6), p.672-675, Article 672
2011
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Light controlled prebreakdown characteristics of a semi-insulating GaAs photoconductive switch
Journal of semiconductors, 2011-12, Vol.32 (12), p.80-85
2011
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GaAs中缺陷的光致发光研究
Hong wai yu hao mi bo xue bao, 1992, Vol.11 (1), p.27-36
1992
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