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An empirical I-V nonlinear model suitable for GaN FET class F PA design
Microwave and optical technology letters, 2011-06, Vol.53 (6), p.1256-1259
2011
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Analysis of MEMS structures to identify their frequency response oriented to acoustic applications
Superficies y vacío, 2015-03, Vol.28 (1), p.12-17
2015
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Advances in Linear Modeling of Microwave Transistors
IEEE microwave magazine, 2009-04, Vol.10 (2), p.100, 102-111, 146
2009
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A Simple and Reliable Method to Extract The Electrical Equivalent Circuits of CMOS pads
Microwave and optical technology letters, 2013-12, Vol.55 (12), p.3033-3037
2013
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Enhanced RF Characteristics of a 0.5 μm High Voltage nMOSFET (HVMOS) in a Standard CMOS Technology
Journal of applied research and technology, 2014-06, Vol.12 (3), p.471-476
2014
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A straightforward method to determine the parasitic gate resistance of GaN FET
2009 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2009, p.877-880
2009
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An investigation on the modified cold-fet method for determining the gate resistance and inductance of the packaged GaN and SiC transistors
2007 70th ARFTG Microwave Measurement Conference (ARFTG), 2007, p.1-4
2007
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A new method for extracting Ri and Rgd of the intrinsic transistor model of GaN HEMT based on extrema points of intrinsic Y-parameters
2015 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, 2015, p.1-3
2015
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Enhanced RF Characteristics of a 0.5 pm High Voltage nMOSFET (HVMOS) in a Standard CMOS Technology
Journal of applied research and technology, 2014, Vol.12 (3), p.471-476
2014
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