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Accurate Measurement of Dynamic ON-Resistance in GaN Transistors at Steady-State
IEEE transactions on power electronics, 2023-07, Vol.38 (7), p.1-6
2023
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Soft-Switching C O Hysteresis Losses in GaN HEMTs: A Resonant-Sawyer-Tower Measurement Method
IEEE transactions on power electronics, 2024-12, Vol.39 (12), p.15709-15719
2024
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Soft-Switching CO Hysteresis Losses in GaN HEMTs: A Resonant-Sawyer-Tower Measurement Method
IEEE transactions on power electronics, 2024-12, Vol.39 (12), p.15709-15719
2024
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A Compact Double-Sided Cooling 650V/30A GaN Power Module With Low Parasitic Parameters
IEEE transactions on power electronics, 2022-01, Vol.37 (1), p.426-439
2022
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Adaptive Driving Scheme for ZVS and Minimizing Circulating Current in MHz CRM Converters
IEEE transactions on power electronics, 2021-04, Vol.36 (4), p.3633-3637
2021
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In-Chip Microfluidic Cooling Integrated on GaN Power IC Reaching High Power Density of 78 kW/l
IEEE transactions on power electronics, 2024-08, Vol.39 (8), p.9717-9723
2024
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Adaptive Tuning Method for ZVS Control in GaN-based MHz CRM Totem-Pole PFC Rectifier
2021 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2021, p.1837-1842
2021
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A Double-Sided Cooling 650V/30A GaN Power Module with Low Parasitic Inductance
2020 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2020, p.2772-2776
2020
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  • BibTeX
Measurement of WBG-based power supplies
2023 25th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'23 ECCE Europe), 2023, p.1-7
2023
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  • BibTeX
Common-Mode EMI Modeling and Analysis for GaN-Based Full-Bridge CRM PFC under Unipolar PWM Scheme
2020 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia), 2020, p.1-5
2020
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  • BibTeX
Parasitic Capacitances Characterization of Double-Sided Cooling Power Module Based on GaN Devices
2020 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia), 2020, p.1-5
2020
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  • BibTeX
Switching losses in power devices: From dynamic on resistance to output capacitance hysteresis
2023 25th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'23 ECCE Europe), 2023, p.1-7
2023
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Drive parameters analysis considering the crosstalk effect of silicon carbide MOSFET in a Phase-leg configuration
2021 IEEE 12th Energy Conversion Congress & Exposition - Asia (ECCE-Asia), 2021, p.985-990
2021
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Optimization of Laminated Busbar for Three-Level NPC Topology Using SiC Module
2020 IEEE 9th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2020-ECCE Asia), 2020, p.302-307
2020
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  • BibTeX
A Double-Sided Cooling GaN Power Module with High Thermal Performance
2020 IEEE 9th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2020-ECCE Asia), 2020, p.2167-2172
2020
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  • BibTeX
GaN-Based Full-Bridge CRM PFC with Unipolar Double-Frequency Control Scheme
2020 IEEE 9th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2020-ECCE Asia), 2020, p.1567-1572
2020
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  • BibTeX
Establishing a reentry procedure for human immunodeficiency virus screening-reactive donors in China
Transfusion (Philadelphia, Pa.), 2016-01, Vol.56 (1), p.195-202
2016
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Establishing a reentry procedure for human immunodeficiency virus screening–reactive donors in C hina
Transfusion (Philadelphia, Pa.), 2016-01, Vol.56 (1), p.195-202
2016
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