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Growth of III-N/graphene heterostructures in single vapor phase epitaxial process
Journal of crystal growth, 2018-12, Vol.504, p.1-6
2018
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Efficiency improvement of AlGaInN LEDs advanced by ray-tracing analysis
IEEE journal of quantum electronics, 2004-12, Vol.40 (12), p.1675-1686
2004
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Study of silicon nitride deposition in III-N MOVPE reactors
Journal of crystal growth, 2020-12, Vol.551, p.125906, Article 125906
2020
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Technique for forming ITO films with a controlled refractive index
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-07, Vol.50 (7), p.984-988
2016
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Calculation of the optimal architecture of a double-layer ITO film intended for use in reflective contacts in blue and near-UV LEDs
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-07, Vol.49 (7), p.972-975
2015
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Use of double-layer ITO films in reflective contacts for blue and near-UV LEDs
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-12, Vol.48 (12), p.1674-1679
2014
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High-power AlGaInN LED chips with two-level metallization
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-09, Vol.48 (9), p.1254-1259
2014
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Modeling of the electrical properties of polycrystalline ceramic semiconductors with submicron grains
Microelectronic engineering, 2005-08, Vol.81 (2), p.494-502
2005
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Simulation of the electrical properties of polycrystalline ceramic semiconductors with submicrometer grain sizes
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2005-01, Vol.39 (5), p.577-584
2005
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Reactive ion etched quantum wire structures for laser applications
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1995-12, Vol.35 (1), p.47-50
1995
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