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Effect of de-trapping on carrier transport process in semi-insulating CdZnTe
Chinese physics B, 2015-06, Vol.24 (6), p.511-515
2015
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Determination of trap levels in CZT:In by thermally stimulated current spectroscopy
Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2012-10, Vol.22, p.s148-s152
2012
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Characterization of CdZnTe crystal grown by bottom-seeded Bridgman and Bridgman accelerated crucible rotation techniques
Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2009-12, Vol.19, p.s622-s625
2009
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Effect of transient space–charge perturbation on carrier transport in high-resistance CdZnTe semiconductor
Chinese physics B, 2019-11, Vol.28 (11), p.117201
2019
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Temporal pulsed x-ray response of CdZnTe: In detector
Chinese physics B, 2018-12, Vol.27 (12), p.127202
2018
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In-Situ SRPES Study on the Band Alignment of (0001)CdS/CdTe Heterojunction
Chinese physics letters, 2012-05, Vol.29 (5), p.57301-1-057301-4
2012
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Structural stability, band structure and magnetic properties of ZnS and Zn0.75Cr0.25S under pressure
Journal of alloys and compounds, 2013-02, Vol.549, p.184-189
2013
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Open Access
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Size and distribution of Te inclusions in detector-grade CdZnTe ingots
Progress in natural science, 2011-02, Vol.21 (1), p.66-72
2011
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Electrical properties and electrical field in depletion layer for CZT crystals
Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006-06, Vol.16 (B01), p.75-78
2006
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First principle study on the electronic and magnetic properties in Zn0.75Cr0.25M (M=S, Se, Te) semiconductors
Journal of alloys and compounds, 2012-10, Vol.539, p.271-275
2012
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Effect of transient space-charge perturbation on carrier transport in high-resistance CdZnTe semiconductorProject supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 61874089), the Fund of MIIT (Grant No. MJ-2017-F-05), the 111 Project of China (Grant No. B08040), the NPU Foundation for Fundamental Research, China, and the Research Found of the State Key Laboratory of Solidification Processing (NWPU), China
Chinese physics B, 2019-10, Vol.28 (11)
2019
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Temporal pulsed x-ray response of CdZnTe: In detector Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 51702271 and U1631116), the Young and Middle-aged Teachers Education and Scientific Research Foundation of Fujian Province, China (Grant No. JAT170407), the High Level Talent Project of Xiamen University of Technology, China (Grant No.YKJ16016R), and the Fund of the State Key Laboratory of Solidification Processing in NWPU, China (Grant No. SKLSP201741)
Chinese physics B, 2018-12, Vol.27 (12)
2018
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Effect of de-trapping on carrier transport process in semi-insulating CdZnTeProject supported by the National Instrumentation Program, China (Grant No. 2011YQ040082), the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61274081, 51372205, and 51202197), the National 973 Project of China (Grant No. 2011CB610400), the China Postdoctoral Science Foundation (Grant No. 2014M550509), and the 111 Project of China (Grant No. B08040)
Chinese physics B, 2015-04, Vol.24 (6)
2015
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Theoretical Investigations on Elastic and Thermodynamic Properties of CdTe
Advanced materials research, 2012, Vol.534, p.192-196
2012
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The analysis of X-ray response of CdZnTe detectors
Science China. Technological sciences, 2012-08, Vol.55 (8), p.2295-2299
2012
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Atomic and Electronic Structures of Cd 0.96 Zn 0.04 Te(110) Surface
Chinese physics letters, 2005-09, Vol.22 (9), p.2357-2359
2005
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Atomic and Electronic Structures of Cd0.96Zn0.04Te(110) Surface
Chinese physics letters, 2005-09, Vol.22, p.2357
2005
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