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Influence of Hydrogen Plasma Treatment and Post-Annealing on Defects in 4H-SiC
Japanese Journal of Applied Physics, 2004-07, Vol.43 (7R), p.4114
2004
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Low temperature hydrogen plasma treatment for the defect passivation in 4H-SiC
Journal of the Korean Physical Society, 2003, 43(51), , pp.914-917
2003
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Low-Temperature Hydrogen-Plasma Treatment for Defect passivation in 4H-SiC
Journal of the Korean Physical Society, 2003-11, Vol.43 (5), p.914-917
2003
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