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2023
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-03, Vol.53 (3), p.273-290
2019
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-03, Vol.57 (3), p.160-165
2023
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Technical physics letters, 2023-12, Vol.49 (Suppl 4), p.S307-S310
2023
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Technical physics letters, 2023-12, Vol.49 (Suppl 1), p.S53-S55
2023
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-07, Vol.57 (7), p.331-338
2023
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Optics and spectroscopy, 2023-03, Vol.131 (3), p.178-182
2023
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Journal of applied physics, 2019-12, Vol.126 (23)
2019
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Journal of applied spectroscopy, 2022-11, Vol.89 (5), p.918-922
2022
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-02, Vol.53 (2), p.234-236
2019
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Optics and spectroscopy, 2021-12, Vol.129 (12), p.1306-1310
2021
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-12, Vol.54 (14), p.1820-1822
2020
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Journal of applied spectroscopy, 2023-03, Vol.90 (1), p.92-97
2023
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-10, Vol.53 (10), p.1389-1392
2019
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-06, Vol.54 (6), p.658-661
2020
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-02, Vol.54 (2), p.253-257
2020
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-10, Vol.52 (10), p.1303-1306
2018
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-07, Vol.55 (7), p.601-607
2021
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-12, Vol.54 (12), p.1527-1547
2020
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Electroluminescence in n-GaSb/InAs/p-GaSb Heterostructures with a Single Quantum Well Grown by MOVPE
2019
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-09, Vol.52 (9), p.1215-1220
2018
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Journal of applied spectroscopy, 2017-11, Vol.84 (5), p.843-849
2017
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-06, Vol.53 (6), p.822-827
2019
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-07, Vol.54 (7), p.796-802
2020
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-08, Vol.52 (8), p.1037-1042
2018
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