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A family of flexible two-dimensional semiconductors: MgMX2Y6 (M = Ti/Zr/Hf; X = Si/Ge; Y = S/Se/Te)
Journal of semiconductors, 2023-04, Vol.44 (4), p.73-83
2023
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Stability, electronic and thermodynamic properties of aluminene from first-principles calculations
Applied surface science, 2017-07, Vol.409, p.85-90
2017
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Ideal strength and elastic instability in single-layer 8-Pmmn borophene
RSC advances, 2017, Vol.7 (14), p.8654-8660
2017
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Customized binary and multi-level HfO2−x-based memristors tuned by oxidation conditions
Scientific reports, 2017-08, Vol.7 (1), p.1-9, Article 10070
2017
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Metal–Semiconductor–Metal ε‑Ga2O3 Solar-Blind Photodetectors with a Record-High Responsivity Rejection Ratio and Their Gain Mechanism
ACS photonics, 2020-03, Vol.7 (3), p.812-820
2020
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A family of flexible two-dimensional semiconductors: MgMX 2 Y 6 (M = Ti/Zr/Hf; X = Si/Ge; Y = S/Se/Te)
Journal of semiconductors, 2023-04, Vol.44 (4), p.42101
2023
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Analog Memristor-Based Dynamic Programmable Analog Filter
Journal of physics. Conference series, 2022-10, Vol.2356 (1), p.12008
2022
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Structural disorder in the high-temperature cubic phase of GeTe
RSC advances, 2018-01, Vol.8 (31), p.17435-17442
2018
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Metal–Semiconductor–Metal ε-Ga 2 O 3 Solar-Blind Photodetectors with a Record-High Responsivity Rejection Ratio and Their Gain Mechanism
ACS photonics, 2020-03, Vol.7 (3), p.812-820
2020
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Ideal strength and elastic instability in single-layer 8-Pmmn boropheneElectronic supplementary information (ESI) available. See DOI: 10.1039/c6ra28454j
2017-01
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Customized binary and multi-level HfO 2-x -based memristors tuned by oxidation conditions
Scientific reports, 2017-08, Vol.7 (1), p.10070
2017
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(Invited) Investigation of Frenkel-Pair Formation in HfO 2 and Its Influence on OxRAM Memory Reliability
ECS transactions, 2014-08, Vol.64 (8), p.141-146
2014
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Device physics of Correlated Electron Random Access Memory
2010
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Etching Behavior and Damage Rejuvenation of Top Electrode and Bi 3.15 Nd 0.85 Ti 3 O 12 Films Applied in Ferroelectric Random Access Memory Devices
Japanese Journal of Applied Physics, 2009-05, Vol.48 (5R), p.50209
2009
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Key Technologies for FeRAM Backend Module
MRS proceedings, 2009, Vol.1160 (1), Article 1160-H08-01
2009
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Implementation of Functionally Complete Boolean Logic and 8-Bit Adder in CMOS Compatible 1T1R RRAMs for In-Memory Computing
2018 IEEE International Memory Workshop (IMW), 2018, p.1-4
2018
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Investigation of Frenkel-Pair Formation in HfO 2 and Its Influence on OxRAM Memory Reliability
Meeting abstracts (Electrochemical Society), 2014-08, Vol.MA2014-02 (44), p.2111-2111
2014
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