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Results of a gallium phosphide photovoltaic junction with an AR coating under concentration of natural sunlight
Solar energy materials and solar cells, 2011-09, Vol.95 (9), p.2655-2658
2011
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Gettered GaP Substrates for Improved Multijunction Solar Cell Devices
Journal of electronic materials, 2011-06, Vol.40 (6), p.1457-1460
2011
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Observation of bulk defects by scanning tunneling microscopy and spectroscopy : arsenic antisite defects in GaAs
Physical review letters, 1993-08, Vol.71 (8), p.1176-1179
1993
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InAs/InGaP/GaAs heterojunction power Schottky rectifiers
Electronics letters, 2006-03, Vol.42 (7), p.417-419
2006
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Arsenic precipitates and the semi-insulating properties of GaAs buffer layers grown by low-temperature molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 1990-09, Vol.57 (13), p.1331-1333
1990
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Macroelectronics: Perspectives on Technology and Applications
Proceedings of the IEEE, 2005-07, Vol.93 (7), p.1239-1256
2005
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Structure of GaAs(001) (2×4)-c(2×8) determined by scanning tunneling microscopy
Physical review letters, 1988-05, Vol.60 (21), p.2176-2179
1988
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Carrier lifetime versus anneal in low temperature growth GaAs
Applied physics letters, 1993-10, Vol.63 (16), p.2248-2250
1993
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Formation of arsenic precipitates in GaAs buffer layers grown by molecular beam epitaxy at low substrate temperatures
Applied physics letters, 1990-10, Vol.57 (15), p.1531-1533
1990
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Interface studies of GaAs metal-oxide-semiconductor structures using atomic-layer-deposited HfO2∕Al2O3 nanolaminate gate dielectric
Applied physics letters, 2007-10, Vol.91 (14)
2007
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Nucleation mechanisms and the elimination of misfit dislocations at mismatched interfaces by reduction in growth area
Journal of applied physics, 1989-03, Vol.65 (6), p.2220-2237
1989
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Optical signal routing using emission packet positioning of semiconductor heterostructure
IEEE photonics technology letters, 2005-07, Vol.17 (7), p.1411-1413
2005
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Asymmetries in dislocation densities, surface morphology, and strain of GaInAs/GaAs single heterolayers
Journal of applied physics, 1988-11, Vol.64 (10), p.4843-4852
1988
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Design considerations and experimental analysis of high-voltage SiC Schottky barrier rectifiers
IEEE transactions on electron devices, 1998-07, Vol.45 (7), p.1595-1604
1998
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Digital communications above 1 Gb/s using 890-nm surface-emitting light-emitting diodes
IEEE photonics technology letters, 2001-01, Vol.13 (1), p.85-87
2001
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Guided self-assembly of Au nanocluster arrays electronically coupled to semiconductor device layers
Applied physics letters, 2000-07, Vol.77 (3), p.373-375
2000
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Subpicosecond, freely propagating electromagnetic pulse generation and detection using GaAs:As epilayers
Applied physics letters, 1991-04, Vol.58 (14), p.1512-1514
1991
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Lattice contraction due to carbon doping of GaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 1990-03, Vol.56 (11), p.1040-1042
1990
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A dual-metal-trench Schottky pinch-rectifier in 4H-SiC
IEEE electron device letters, 1998-04, Vol.19 (4), p.97-99
1998
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Cross-sectional imaging and spectroscopy of GaAs doping superlattices by scanning tunneling microscopy
Applied physics letters, 1992-08, Vol.61 (7), p.795-797
1992
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Structure and recombination in InGaAs/GaAs heterostructures
Journal of applied physics, 1988-02, Vol.63 (3), p.693-703
1988
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Local transport properties of thin bismuth films studied by scanning tunneling potentiometry
Physical review. B, Condensed matter, 1996-08, Vol.54 (8), p.R5283-R5286
1996
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Schottky barriers: An effective work function model
Applied physics letters, 1981-01, Vol.39 (9), p.727-729
1981
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Unpinned(100) GaAS surfaces in air using photochemistry
Applied physics letters, 1986-02, Vol.48 (7), p.475-477
1986
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Electrochemical capacitance voltage profiling of the narrow band gap semiconductor InAs
Journal of electronic materials, 2000-11, Vol.29 (11), p.1333-1339
2000
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