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Synergistic Effect of Cu2O Mesh Pattern on High‐Facet Cu Surface for Selective CO2 Electroreduction to Ethanol
Advanced materials (Weinheim), 2022-01, Vol.34 (3), p.n/a
2022
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Synergistic Effect of Cu 2 O Mesh Pattern on High-Facet Cu Surface for Selective CO 2 Electroreduction to Ethanol
Advanced materials (Weinheim), 2022-01, Vol.34 (3), p.e2106028
2022
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Synergistic Effect of Cu2 O Mesh Pattern on High-Facet Cu Surface for Selective CO2 Electroreduction to Ethanol
Advanced materials (Weinheim), 2022-01, Vol.34 (3), p.e2106028-e2106028
2022
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Experimental investigation of surface morphology of a chemical vapor deposition-grown graphene monolayer mediating with a gap-plasmonic system and the related ripple shape study
Journal of applied physics, 2018-12, Vol.124 (22)
2018
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Controlling the ripple density and heights: a new way to improve the electrical performance of CVD-grown graphene
Nanoscale, 2016-05, Vol.8 (18), p.9822-9827
2016
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Thickness-Dependent Phonon Renormalization and Enhanced Raman Scattering in Ultrathin Silicon Nanomembranes
Nano letters, 2017-12, Vol.17 (12), p.7744-7750
2017
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Boosting the photocatalytic hydrogen evolution performance via an atomically thin 2D heterojunction visualized by scanning photoelectrochemical microscopy
Nano energy, 2019-11, Vol.65, p.104053, Article 104053
2019
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Exploring the SERS background using a sandwiched graphene monolayer with gap-plasmon junctions
Journal of physics. D, Applied physics, 2016-03, Vol.49 (10), p.105302
2016
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Controlling the ripple density and heights: a new way to improve the electrical performance of CVD-grown grapheneElectronic supplementary information (ESI) available: Reproducible data set. See DOI: 10.1039/c6nr00706f
2016-05
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Open Access
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Indirect Band Gap in Scrolled MoS2 Monolayers
Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2022-09, Vol.12 (19), p.3353
2022
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Open Access
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Universal Oriented van der Waals Epitaxy of 1D Cyanide Chains on Hexagonal 2D Crystals
Advanced science, 2020-02, Vol.7 (4), p.1900757-n/a
2020
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Ferroelectricity in Highly Ordered Arrays of Ultra-Thin-Walled Pb(Zr,Ti)O3 Nanotubes Composed of Nanometer-Sized Perovskite Crystallites
Nano letters, 2008-07, Vol.8 (7), p.1813-1818
2008
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Indirect Band Gap in Scrolled MoS[sub.2] Monolayers
Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2022-09, Vol.12 (19)
2022
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Compositional analysis of In-rich InGaN layers grown on GaN templates by metalorganic chemical vapor deposition
Journal of crystal growth, 2008-06, Vol.310 (12), p.3004-3008
2008
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Raman Spectra Study of K0.5Na0.5NbO3 Ferroelectric Thin Films
Jpn J Appl Phys, 2010-09, Vol.49 (9), p.095801-095801-4
2010
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Open Access
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Room temperature near-ultraviolet emission from In-rich InGaN∕GaN multiple quantum wells
Applied physics letters, 2005-05, Vol.86 (19)
2005
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Raman Spectra Study of K 0.5 Na 0.5 NbO 3 Ferroelectric Thin Films
Japanese Journal of Applied Physics, 2010-09, Vol.49 (9R), p.95801
2010
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Improved Durability of Pd/WO3 Hydrogen Sensor Films Prepared by Sputtering
Journal of the Korean Physical Society, 2008, 52(0), , pp.50-53
2008
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Ferroelectricity in Highly Ordered Arrays of Ultra-Thin-Walled Pb(Zr,Ti)O sub(3) Nanotubes Composed of Nanometer-Sized Perovskite Crystallites
Nano letters, 2008-01, Vol.8 (7), p.1813-1818
2008
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Effects of thin GaAs insertion layer on In As ∕ ( In Ga As ) ∕ In P ( 001 ) quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition
Applied physics letters, 2005-05, Vol.86 (22), p.223110-223110-3
2005
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Effects of thin GaAs insertion layer on InAs∕(InGaAs)∕InP(001) quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition
Applied physics letters, 2005-05, Vol.86 (22)
2005
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Room temperature near-ultraviolet emission from In-rich In Ga N ∕ Ga N multiple quantum wells
Applied physics letters, 2005-05, Vol.86 (19), p.192105-192105-3
2005
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Electroreflectance and photoluminescence study of InN
Semiconductor science and technology, 2005-10, Vol.20 (10), p.1068-1071
2005
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Effect of dimethylhydrazine on p-type conductivity of as-grown Mg-doped GaN
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2009-03, Vol.3 (2-3), p.52-54
2009
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Effects of Thin GaAs Insertion Layer on InAs/(InGaAs)/InP(001) Quantum Dots Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Physical Models for Quantum Dots, 2022, p.701-708
1, 2022
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