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TEM and IBA study of the thermal oxidation of V following high dose He implantation
Journal of nuclear materials, 1997, Vol.244 (1), p.51-58
1997
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Perimeter and bulk recombination currents in GaAs homojunction diodes and [formula omitted] heterojunction bipolar transistors after surface processing
Solid-state electronics, 1997-03, Vol.41 (3), p.417-422
1997
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The etching of Ga 0.7Al 0.3As using KII 2
Materials letters, 1988, Vol.6 (8), p.284-286
1988
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Experimental evaluation of separate contributions to ideality factor for the base surface recombination current in heterojunction bipolar transistors
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1994-12, Vol.28 (1), p.238-241
1994
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Recombination current reduction in AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors with polyimide deposition
Solid-state electronics, 1994-12, Vol.37 (12), p.1977-1982
1994
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Disorder-induced buried-stripe optical waveguides in GaAs/AlGaAs MQW material
Electronics letters, 1989-05, Vol.25 (10), p.653-655
1989
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The etching of Ga0.7Al0.3As using KI-I2
Materials letters, 1988-05, Vol.6 (8-9), p.284-286
1988
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