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Generic degradation mechanism for 980 nm InxGa1−xAs/GaAs strained quantum-well lasers
Applied physics letters, 2001-05, Vol.78 (21), p.3166-3168
2001
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Enabling Terabit Systems through MOVPE
Journal of crystal growth, 2001-05, Vol.225 (2-4), p.391-396
2001
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High-speed InGaAsP constricted-mesa lasers
IEEE journal of quantum electronics, 1986-06, Vol.22 (6), p.833-844
1986
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Monolithic hybrid mode-locked 1.3 μm semiconductor lasers
Applied physics letters, 1990-01, Vol.56 (2), p.111-113
1990
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High-frequency constricted mesa lasers
Applied physics letters, 1985-07, Vol.47 (2), p.78-80
1985
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Growth and characterization of high yield, reliable, high-power, high-speed, InP/InGaAsP capped mesa buried heterostructure distributed feedback (CMBH-DFB) lasers
IEEE journal of quantum electronics, 1989-10, Vol.25 (10), p.2091-2095
1989
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Continuous operation of monolithic dynamic-single-mode coupled-cavity lasers
Applied physics letters, 1984-02, Vol.44 (4), p.368-370
1984
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Effect of photocarrier spreading on the photoluminescence of double heterostructure material
Journal of applied physics, 1984-01, Vol.56 (2), p.468-476
1984
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Stop-cleaved InGaAsP laser monolithically integrated with a monitoring detector
Applied physics letters, 1985-01, Vol.47 (9), p.920-922
1985
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4-Gbit/s transmission over 103 km of optical fiber using a novel electronic multiplexer/demultiplexer
Journal of lightwave technology, 1985-10, Vol.3 (5), p.1032-1035
1985
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Optical evaluation of indium gallium arsenide phosphide double-heterostructure material for injection lasers
Journal of applied physics, 1983-12, Vol.54 (12), p.7114-7118
1983
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Cleaved-coupled-cavity lasers with large cavity length ratios for enhanced stability
Applied physics letters, 1984-01, Vol.44 (9), p.821-823
1984
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Measured spectral linewidth of variable-gap cleaved-coupled-cavity lasers
Electronics letters, 1985, Vol.21 (2), p.53-54
1985
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Monolithic integration of InGaAsP/InP semiconductor lasers using the stop-cleaving technique
IEEE journal of quantum electronics, 1986-07, Vol.22 (7), p.1064-1072
1986
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Etching of deep grooves for the precise positioning of cleaves in semiconductor lasers
Applied physics letters, 1985-03, Vol.46 (5), p.453-455
1985
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InGaAsP (1.3 υm) grown by liquid-phase epitaxy in the V groove of a channeled InP substrate: a photoluminescence study
Journal of applied physics, 1986-07, Vol.60 (1), p.372-375
1986
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Open Access
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Channeled substrate buried heterostructure InGaAsP/InP laser employing a buried Fe ion implant for current confinement
Applied physics letters, 1984-02, Vol.44 (3), p.290-292
1984
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  • BibTeX
The lasers behind the communications revolution
Bell Labs technical journal, 2000, Vol.5 (1), p.150-167
2000
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Analysis of leakage currents in 1.3-μm InGaAsP real-index-guided lasers
Journal of lightwave technology, 1984, Vol.2 (3), p.201-208
1984
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Open Access
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Low-threshold, high quantum efficiency stop-cleaved InGaAsP semiconductor lasers
Journal of applied physics, 1985-08, Vol.58 (4), p.1686-1688
1985
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26.5 GHz bandwidth InGaAsP lasers with tight optical confinement
Electronics letters, 1985-01, Vol.21 (23), p.1090-1091
1985
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High-frequency modulation of 1.52 μm vapour-phase-transported InGaAsP lasers
Electronics letters, 1985, Vol.21 (9), p.392-393
1985
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V-groove distributed feedback laser for 1.3-1.55 μm operation
Applied physics letters, 1986-11, Vol.49 (18), p.1148-1149
1986
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Improved linearity and kink criteria for 1.3-μm InGaAsP-InP channeled substrate buried heterostructure lasers
Applied physics letters, 1984-01, Vol.44 (5), p.483-485
1984
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  • BibTeX
Monolithically integrated external feedback InGaAsP lasers using stop-cleaving technique
Journal of applied physics, 1986-02, Vol.59 (4), p.1381-1383
1986
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