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Substrate orientation effects in CdxHg1−xTe grown by MOVPE
Journal of crystal growth, 1989-07, Vol.96 (3), p.519-532
1989
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Simulated rotational instabilities in molten bismuth silicon oxide
Journal of crystal growth, 1976-01, Vol.32 (2), p.205-210
1976
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The temperature distribution in pulled germanium crystals during growth
Solid-state electronics, 1964-01, Vol.7 (2), p.183-187
1964
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The Czochralski growth of barium strontium niobate crystals
Journal of crystal growth, 1971-01, Vol.10 (2), p.133-138
1971
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Incorporation and activation of group V elements in MOVPE-grown CdxHg1-xTe
Journal of crystal growth, 1989-10, Vol.97 (3-4), p.833-844
1989
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Substrate orientation effects in Cd xHg 1−xTe grown by MOVPE
Journal of crystal growth, 1989, Vol.96 (3), p.519-532
1989
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Incorporation and activation of group V elements in MOVPE-grown Cd xHg 1- xTe
Journal of crystal growth, 1989, Vol.97 (3), p.833-844
1989
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Computer controlled deposition of cmt heterostructures by Movpe
Journal of crystal growth, 1986-12, Vol.79 (1), p.935-939
1986
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The kinetics of the growth of KTa xNb 1-xO 3 crystals from solution in excess potassium oxide
Journal of crystal growth, 1974, Vol.23 (1), p.25-28
1974
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Group V acceptor doping of Cd xHg 1− xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1988, Vol.6 (10), p.365-368
1988
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Group V acceptor doping of CdxHg1-xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1988-06, Vol.6 (10), p.365-368
1988
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Extrinsic doping at low concentrations for CDxHg1- xTe layers grown by MOVPE
Journal of crystal growth, 1990-04, Vol.101 (1), p.300-304
1990
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Temperature variations during MOVPE growth of Cd xHg 1 - xTe
Journal of crystal growth, 1987, Vol.82 (3), p.495-500
1987
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Electrical properties and annealing behaviour of CdxHg1− xTe grown by LPE and MOVPE
Journal of crystal growth, 1986-12, Vol.79 (1), p.508-514
1986
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Arsenic diffusion effects in Cd xHg 1− xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1989, Vol.8 (9), p.385-388
1989
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Arsenic diffusion effects in Cd xHg 1- xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1989, Vol.8 (5), p.190-193
1989
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Arsenic diffusion effects in CdxHg1-xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1989-06, Vol.8 (5), p.190-193
1989
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Arsenic diffusion effects in CdxHg1-xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1989-09, Vol.8 (9), p.385-388
1989
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Changes in fluid flow during Czochralski growth
Journal of crystal growth, 1977-01, Vol.38 (2), p.245-248
1977
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Temperature variations during MOVPE growth of CdxHg1-xTe
Journal of crystal growth, 1987-03, Vol.82 (3), p.495-500
1987
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The Czochralski growth of Bi12SiO20 crystals
Journal of crystal growth, 1974-01, Vol.24-25, p.429-431
1974
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The kinetics of the growth of KTaxNb1-xO3 crystals from solution in excess potassium oxide
Journal of crystal growth, 1974-01, Vol.23 (1), p.25-28
1974
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The suppression of thermal oscillations in czochralski growth
Journal of crystal growth, 1971-01, Vol.10 (1), p.91-96
1971
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The flux growth of some γ-Bi 2O 3 crystals by the top seeded technique
Journal of crystal growth, 1974, Vol.23 (1), p.21-24
1974
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The Czochralski growth of Bi 12SiO 20 crystals
Journal of crystal growth, 1974, Vol.24, p.429-431
1974
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